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ER1G PDF预览

ER1G

更新时间： 2024-01-29 14:21:18
品牌 Logo 应用领域
银河微电 - BL Galaxy Electrical 二极管光电二极管IOT
页数 文件大小 规格书
2页 91K
描述
SURFACE MOUNT RECTIFIER

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ER1G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：HSMB, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.36配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-C2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大反向恢复时间：0.3 µs表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
Base Number Matches：1

ER1G 数据手册

 浏览型号ER1G的Datasheet PDF文件第2页 
GALAXY ELECTRICAL  
ER1A --- ER1J  
BL  
VOLTAGE RANGE: 100 --- 600 V  
CURRENT: 1.0 A  
SURFACE MOUNT RECTIFIER  
FEATURES  
Low cost  
DO - 214AC(SMA)  
Low leakage  
Low forward voltage drop  
High current capability  
Easilycleaned with alcohol,Isopropanol  
and similar solvents  
The plastic material carries U/L recognition 94V-0  
MECHANICAL DATA  
Case:JEDEC DO-214AC,molded plastic  
Terminals: Solderable per  
MIL- STD-202,Method 208  
Polarity: Color band denotes cathode  
Weight: 0.002 ounces,0.064 grams  
Mounting position: Any  
inch(mm)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by20%.  
ER1A ER1B ER1C ER1D ER1E ER1G ER1J UNITS  
Maximumrecurrent peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
50  
35  
50  
100  
70  
150  
105  
150  
200  
140  
200  
300  
210  
300  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
V
V
V
VRRM  
VRMS  
VDC  
MaximumDC blocking voltage  
Maximumaverage forw ard rectified current  
@TA=75  
100  
1.0  
A
IF(AV)  
Peak forw ard surge current  
8.3ms single half-sine-w ave  
superimposed on rated load @TJ=125  
Maximuminstantaneous forw ard voltage  
@ 1.0A  
IFSM  
30.0  
A
V
0.95  
1.25  
VF  
IR  
1.7  
Maximum reverse current  
@TA=25  
5.0  
100  
35  
A
at rated DC blocking voltage @TA=125  
Maximumreverse recovery time (Note 1)  
ns  
trr  
CJ  
RθJA  
TJ  
Typical junction capacitance  
Typical thermal resistance  
(Note 2)  
(Note 3)  
22  
pF  
50  
/W  
Operating junction temperature range  
- 55 ----- + 150  
- 55 ----- + 150  
Storage temperature range  
NOTE: 1. Measured with IF=0.5A, IR=1A, Irr=0.25A.  
TSTG  
www.galaxycn.com  
2. Measured at 1.0MHz and applied rev erse v oltage of 4.0V DC.  
3.Thermal resistance junction to ambient.  
1.  
Document Number 0280021  
BLGALAXY ELECTRICAL  
12

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