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EPA060B-70

更新时间： 2024-01-07 09:27:37
品牌 Logo 应用领域
EXCELICS 晶体晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
3页 40K
描述
High Efficiency Heterojunction Power FET

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EPA060B-70 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：MICROWAVE, X-CXMW-F4
针数：4Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.75
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：10 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.11 AFET 技术：HETERO-JUNCTION
最高频带：KU BANDJESD-30 代码：X-CXMW-F4
元件数量：1端子数量：4
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：UNSPECIFIED
封装形式：MICROWAVE极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：0.78 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：UNSPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

EPA060B-70 数据手册

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EPA060B-70  
Excelics  
DATA SHEET  
High Efficiency Heterojunction Power FET  
Features  
•
•
•
•
•
•
•
•
NON-HERMETIC LOW COST CERAMIC 70mil PACKAGE  
+26dBm TYPICAL OUTPUT POWER  
9.0dB TYPICAL POWER GAIN AT 12 GHZ  
0.4 dB TYPICAL NOISE FIGURE AT 2GHz  
20 dB TYPICAL ASSOCIATED GAIN AT 2 GHz  
0.3 X 600 MICRON RECESSED “MUSHROOM” GATE  
Si3N4 PASSIVATION  
ADVANCED EPITAXIAL HETEROJUNCTION PROFILE  
PROVIDES EXTRA HIGH POWER EFFICIENCY,  
AND HIGH RELIABILITY  
Applications  
All Dimensions In mils.  
•
•
High Dynamic Range LNA  
DC to 18 GHz  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25 OC)  
SYMBOLS  
PARAMETERS/TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNIT  
Output Power at 1dB Compression  
f=2GHz  
f=12GHz  
f=2GHz  
f=12GHz  
f=2GHz  
f=12GHz  
f=2GHz  
26.0  
25.5  
19.0  
9.0  
55  
45  
28  
31  
0.4  
0.6  
24.0  
dBm  
P1dB  
Vds=6V, Ids=50% Idss  
Gain at 1dB Compression  
Vds=6V, Ids=50% Idss  
Power Added Efficiency at 1dB Compression  
Vds=6V, Ids=50% Idss  
+5dBm POUT/Tone (5V/50mA)  
(5V/90mA)  
Noise Figure (5V/50mA)  
(5V/90mA)  
Associated Gain (5V/50mA)  
(5V/90mA)  
17.0  
7.0  
dB  
%
G1dB  
PAE  
IP3  
NF  
dBm  
dB  
f=2GHz  
f=2GHz  
20.0  
20.0  
dB  
GA  
Saturated Drain Current Vds=3V, Vgs=0V  
110  
120  
180  
190  
-1.0  
-15  
250  
-2.5  
mA  
mS  
V
Idss  
Gm  
Transconductance  
Pinch-off Voltage  
Vds=3V, Vgs=0V  
Vds=3V, Ids=2.0mA  
Vp  
Drain Breakdown Voltage Igd=1.0mA  
Source Breakdown Voltage Igs=1.0mA  
Thermal Resistance  
-10  
-6  
V
BVgd  
BVgs  
Rth  
-14  
V
175*  
oC/W  
* Overall Rth depends on case mounting.  
MAXIMUM RATINGS AT 25OC  
SYMBOLS  
PARAMETERS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current  
ABSOLUTE1  
CONTINUOUS2  
6V  
10V  
Vds  
-6V  
-3V  
Vgs  
Idss  
110mA  
Ids  
Forward Gate Current  
Input Power  
30mA  
23dBm  
175oC  
-65/175oC  
780mW  
5mA  
Igsf  
@ 3dB Compression  
150 oC  
Pin  
Channel Temperature  
Storage Temperature  
Total Power Dissipation  
Tch  
-65/150 oC  
Tstg  
650mW  
Pt  
Note: 1 Exceeding any of the above ratings may result in permanent damage.  
2. Exceeding any of the above ratings may reduce MTTF below design goals.  
Excelics Semiconductor, Inc., 2908 Scott Blvd., Santa Clara, CA 95054  
Phone: (408) 970-8664 Fax: (408) 970-8998 Web Site: www.excelics.com  
123

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