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EP4CE55F29C7N

更新时间： 2024-02-18 07:51:57

品牌	Logo	应用领域
英特尔 - INTEL		时钟栅可编程逻辑
页数	文件大小	规格书
44页	663K
描述
Field Programmable Gate Array, 3491 CLBs, 472.5MHz, 55856-Cell, PBGA780, 29 X 29 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-780

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EP4CE55F29C7N 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	29 X 29 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-780	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.22
最大时钟频率：	472.5 MHz	JESD-30 代码：	S-PBGA-B780
JESD-609代码：	e1	长度：	29 mm
湿度敏感等级：	3	可配置逻辑块数量：	3491
输入次数：	377	逻辑单元数量：	55856
输出次数：	377	端子数量：	780
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：
组织：	3491 CLBS	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	BGA	封装等效代码：	BGA780,28X28,40
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）：	245	电源：	1.2,1.2/3.3,2.5 V
可编程逻辑类型：	FIELD PROGRAMMABLE GATE ARRAY	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.4 mm	子类别：	Field Programmable Gate Arrays
最大供电电压：	1.25 V	最小供电电压：	1.15 V
标称供电电压：	1.2 V	表面贴装：	YES
温度等级：	OTHER	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	29 mm	Base Number Matches：	1

EP4CE55F29C7N 数据手册

1–6

Chapter 1: Cyclone IV Device Datasheet

Operating Conditions

Table 1–4. Recommended Operating Conditions for Cyclone IV GX Devices (Part 2 of 2)

Symbol

V_{CCA_GXB}

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Transceiver PMA and auxiliary power

supply

—

2.375

2.5

2.625

Transceiver PMA and auxiliary power

supply

V_{CCL_GXB}

—

1.16

1.2

1.24

V_I

DC input voltage

DC output voltage

—

–0.5

—

3.6

V_CCIO

V_O

—

For commercial use

For industrial use

Standard power-on reset

°C

T_J

Operating junction temperature

–40

100

50 µs

—

50 ms

3 ms

—

(7)

(POR)

t_RAMP

Power supply ramp time

(8)

Fast POR

Magnitude of DC current across

PCI-clamp diode when enabled

I_Diode

—

Notes to Table 1–4:

(1) All VCCA pins must be powered to 2.5 V (even when PLLs are not used) and must be powered up and powered down at the same time.

(2) You must connect V_{CCD_PLL}to V_CCINTthrough a decoupling capacitor and ferrite bead.

(3) Power supplies must rise monotonically.

(4) V_CCIOfor all I/O banks must be powered up during device operation. Configurations pins are powered up by V_CCIOof I/O Banks 3, 8, and 9 where

I/O Banks 3 and 9 only support V_CCIOof 1.5, 1.8, 2.5, 3.0, and 3.3 V. For fast passive parallel (FPP) configuration mode, the V_CCIOlevel of I/O

Bank 8 must be powered up to 1.5, 1.8, 2.5, 3.0, and 3.3 V.

(5) You must set V_{CC_CLKIN}to 2.5 V if you use CLKIN as a high-speed serial interface (HSSI) refclk or as a DIFFCLK input.

(6) The CLKIN pins in I/O Banks 3B and 8B can support single-ended I/O standard when the pins are used to clock left PLLs in non-transceiver

applications.

(7) The POR time for Standard POR ranges between 50 and 200 ms. V_CCINT, V_CCA, and V_CCIOof I/O Banks 3, 8, and 9 must reach the recommended

operating range within 50 ms.

(8) The POR time for Fast POR ranges between 3 and 9 ms. V_CCINT, V_CCA, and V_CCIOof I/O Banks 3, 8, and 9 must reach the recommended operating

range within 3 ms.

ESD Performance

This section lists the electrostatic discharge (ESD) voltages using the human body

model (HBM) and charged device model (CDM) for Cyclone IV devices general

purpose I/Os (GPIOs) and high-speed serial interface (HSSI) I/Os. Table 1–5 lists the

ESD for Cyclone IV devices GPIOs and HSSI I/Os.

Table 1–5. ESD for Cyclone IV Devices GPIOs and HSSI I/Os

Symbol

V_ESDHBM

Parameter

ESD voltage using the HBM (GPIOs) ⁽¹⁾

Passing Voltage

Unit

2000

1000

500

(2)

ESD using the HBM (HSSI I/Os)

ESD using the CDM (GPIOs)

V_ESDCDM

(2)

ESD using the CDM (HSSI I/Os)

250

Notes to Table 1–5:

(1) The passing voltage for EP4CGX15 and EP4CGX30 row I/Os is 1000V.

(2) This value is applicable only to Cyclone IV GX devices.

Cyclone IV Device Handbook,

Volume 3

March 2016 Altera Corporation

1...3 4 567 8 9...44

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与EP4CE55F29C7N相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
EP4CE55F29C8	INTEL	Field Programmable Gate Array, 3491 CLBs, 472.5MHz, 55856-Cell, PBGA780, 29 X 29 MM, 1 MM	获取价格
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