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EM658160TS-6

更新时间： 2024-02-07 12:25:27

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钰创 - ETRON		动态存储器双倍数据速率
页数	文件大小	规格书
26页	158K
描述
4M x 16 DDR Synchronous DRAM (SDRAM)

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EM658160TS-6 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.75	最长访问时间：	0.7 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	166 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G66
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	16	端子数量：	66
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP66,.46	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	电源：	2.5,3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
连续突发长度：	2,4,8	最大待机电流：	0.065 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.22 mA
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.635 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

EM658160TS-6 数据手册

Et r on Tech

EM658160

4Mx16 DDR SDRAM

•

CAS Latency Field (A6~A4)

This field specifies the number of clock cycles from the assertion of the Read command to the

first read data. The minimum whole value of CAS Latency depends on the frequency of CK.

The minimum whole value satisfying the following formula must be programmed into this field.

t_CAC(min) ≤ CAS Latency X t_CK

CAS Latency

Reserved

2 clocks

3 clocks

Reserved

2.5 clocks

Reserved (3.5 clocks)

•

Test Mode field (A8~A7)

These two bits are used to enter the test mode and must be programmed to "00" in normal

operation.

Test Mode

Normal mode

DLL Reset

Test mode

( BS0, BS1)

BS1

RFU

BS0

An ~ A0

MRS Cycle

Extended Functions (EMRS)

Extended Mode Register Set (EMRS)

BS1

RFU

BS0

A11~ A1

RFU

DLL Enable

DLL Disable

RFU

Etron Confidential

Rev. 1.1

Jan. 2002

1...4 5 678 9 10...26

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