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EM2B

更新时间： 2024-01-09 04:18:48

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急速微 - ALLEGRO		二极管
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1页	26K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1.2A, 800V V(RRM), AXIAL PACKAGE-2

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EM2B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	AXIAL DIODE
包装说明：	O-PALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.45
Is Samacsys：	N	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.92 V	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流：	80 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	1.2 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	800 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

EM2B 数据手册

1000V

Rectifier Diodes

I_FSM

I_R

(µA)

I_R(H)

(µA)

I_{F (AV)}

(A)

( ) is with

Heatsink

Rth (j-

Rth (j- c)

(°C/W)

)

(

)

V_RM

(V)

Tstg

V_F

(V)

Mass

(g)

Fig.

No.

Package

Part Number

I_F

(°C)

50Hz

Half-cycle Sinewave

Single Shot

V_R= V _RMV_R= V _RM

max

(

)

max

0.8

1.0

–40 to +150

1.2

1.0

1.5

2.5

3.0

2.0

100

150

100

0.4

RM 1C

EM 1C

RM 11C

RM 2C

RO 2C

0.97

0.92

0.91

0.92

0.95

1.0

100

0.3

1.2

100

0.4

Axial

1.2

0.6

1000

1.2

0.61

1.0

2.0

150

100

RM 3C

RM 4C

RBV-40C

1.7 (3.0)

4.0

1.2

Bridge

5.0

4.05

ꢀꢀExternal Dimensions

Flammability: UL94V-0 or Equivalent (Unit: mm)

0.78^±0.05

0.98^±0.05

1.2^±0.05

1.4^±0.1

Cathode Mark

2.7^±0.2

4.0^±0.2

5.2^±0.2

6.5^±0.2

4.6

3.6

3.2^±0.1

4 -1.0

0.7

2.7^±0.1

7.5 7.5 7.5

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