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EL5360IUZ

更新时间： 2024-02-27 03:01:18
品牌 Logo 应用领域
英特矽尔 - INTERSIL 商用集成电路放大器光电二极管
页数 文件大小 规格书
15页 941K
描述
200MHz Low-Power Current Feedback Amplifiers

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EL5360IUZ 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：QSOP, SOIC包装说明：SSOP,
针数：16, 16Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.33.00.01
风险等级：5.77Is Samacsys：N
其他特性：IT CAN ALSO OPERATE WITH 5V TO 10V SINGLE SUPPLY标称带宽：200000 kHz
商用集成电路类型：VIDEO AMPLIFIERJESD-30 代码：R-PDSO-G16
JESD-609代码：e3长度：4.9022 mm
湿度敏感等级：2信道数量：1
功能数量：3端子数量：16
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SSOP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.7272 mm最大供电电压 (Vsup)：5 V
最小供电电压 (Vsup)：2.5 V表面贴装：YES
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：GULL WING端子节距：0.635 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
宽度：3.9116 mmBase Number Matches：1

EL5360IUZ 数据手册

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EL5160, EL5161, EL5260, EL5261, EL5360  
Typical Performance Curves (Continued)  
4
5
3
V =±5V  
V =±5V  
S
S
R =R =768Ω  
A =+1  
V
F
G
A =-5  
V
R =2.8kΩ  
R =500Ω  
R =150Ω  
F
L
L
2
R =1kΩ  
F
A =-1  
V
0
1
A =+5  
V
R =750Ω  
-2  
-4  
-6  
-1  
-3  
-5  
F
A =+10  
V
100K  
1M  
10M  
FREQUENCY (Hz)  
100M  
1G  
100K  
1M  
10M  
100M  
1G  
FREQUENCY (Hz)  
FIGURE 15. FREQUENCY RESPONSE FOR VARIOUS GAIN  
SETTINGS  
FIGURE 16. FREQUENCY RESPONSE FOR VARIOUS  
FEEDBACK RESISTORS, A =+1  
V
JEDEC JESD51-7 HIGH EFFECTIVE THERMAL  
JEDEC JESD51-7 HIGH EFFECTIVE THERMAL  
CONDUCTIVITY TEST BOARD  
CONDUCTIVITY TEST BOARD  
1.4  
1.4  
1.2  
1
1.250W  
1.2  
SO16 (0.150”)  
θ
=80°C/W  
1
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
JA  
909mW  
435mW  
893mW  
SO8  
0.8 870mW  
0.6  
QSOP16  
θ
=110°C/W  
θ
=112°C/W  
JA  
JA  
MSOP8/10  
θ
=115°C/W  
0.4  
0.2  
0
JA  
SOT23-5/6  
θ
=110°C/W  
JA  
0
25  
50  
75 85 100  
125  
150  
0
25  
50  
75 85 100  
125  
150  
FREQUENCY (Hz)  
FREQUENCY (Hz)  
FIGURE 17. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT  
TEMPERATURE  
FIGURE 18. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT  
TEMPERATURE  
JEDEC JESD51-3 LOW EFFECTIVE THERMAL  
JEDEC JESD51-3 LOW EFFECTIVE THERMAL  
CONDUCTIVITY TEST BOARD  
1.2  
CONDUCTIVITY TEST BOARD  
1
0.9  
SO16 (0.150”)  
1
909mW  
θ
=110°C/W  
0.8  
0.7  
0.6  
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
0
JA  
0.8  
633mW  
SO8  
625mW  
391mW  
QSOP16  
0.6  
θ
=160°C/W  
JA  
θ
=158°C/W  
486mW  
JA  
0.4  
0.2  
0
MSOP8/10  
θ
=206°C/W  
JA  
SOT23-5/6  
θ
=256°C/W  
JA  
0
25  
50  
75 85 100  
125  
150  
0
25  
50  
75 85 100  
125  
150  
FREQUENCY (Hz)  
FREQUENCY (Hz)  
FIGURE 19. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT  
TEMPERATURE  
FIGURE 20. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT  
TEMPERATURE  
FN7387.8  
September 8, 2005  
7
1...45678910...15

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