EFM307L

更新时间： 2025-07-14 06:56:15

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5页	389K
描述
SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SUPER FAST SILICON RECTIFIER VOLTAGE RANGE 50 to 600 Volts CURRENT 3.0 Ampere

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EFM307L 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMCL, 2 PIN
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.67	其他特性：	METALLURGICALLY BONDED, LOW LEAKAGE CURRENT
应用：	GENERAL PURPOSE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-C2	JESD-609代码：	e3
最大非重复峰值正向电流：	125 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	3 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	265	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	600 V	最大反向恢复时间：	0.05 µs
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

EFM307L 数据手册

RATING AND CHARACTERISTICS CURVES ( EFM301L THRU EFM307L )

trr

+0.5A

50 Ω

NONINDUCTIVE

10 Ω

NONINDUCTIVE

( - )

PULSE

GENERATOR

(NOTE 2)

D.U.T

( + )

25 Vdc

(approx)

( - )

-0.25A

( + )

OSCILLOSCOPE

(NOTE 1)

NON-

INDUCTIVE

NOTES: 1 Rise Time = 7ns max. Input Impedance =

1 megohm. 22pF.

-1.0A

2. Rise Time = 10ns max. Source Impedance =

50 ohms.

1cm

SET TIME BASE FOR 14/1 ns/cm

FIG.1 TEST CIRCUIT DIAGRAM AND REVERSE RECOVERY TIME CHARACTERISTIC

3.0

1000

2.5

2.0

100

= 100 ^OC

= 75 ^OC

1.5

1.0

= 25 ^OC

1.0

0.1

Single Phase

Half Wave 60Hz

Resistive or

Inductive Load

0.5

100

125

150

175

100

120

140

AMBIENT TEMPERATURE, (^OC)

PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE, (%)

FIG.2 TYPICAL FORWARD CURRENT

DERATING CURVE

FIG.3 TYPICAL REVERSE

CHARACTERISTICS

123 4 5

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