5秒后页面跳转
EDI8F321024C35MZC PDF预览

EDI8F321024C35MZC

更新时间: 2024-01-07 15:25:14
品牌 Logo 应用领域
WEDC 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 234K
描述
SRAM Module, 4MX8, 35ns, CMOS,

EDI8F321024C35MZC 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.87
最长访问时间:35 ns其他特性:CONFIGURABLE AS 1M X 32
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XZMA-N72
JESD-609代码:e0内存密度:33554432 bit
内存集成电路类型:SRAM MODULE内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:72字数:4194304 words
字数代码:4000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:4MX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:ZIP封装等效代码:ZIP72/76,.1,.1
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.08 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:1.88 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:NO LEAD端子节距:1.27 mm
端子位置:ZIG-ZAG

EDI8F321024C35MZC 数据手册

 浏览型号EDI8F321024C35MZC的Datasheet PDF文件第2页浏览型号EDI8F321024C35MZC的Datasheet PDF文件第3页浏览型号EDI8F321024C35MZC的Datasheet PDF文件第4页浏览型号EDI8F321024C35MZC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号EDI8F321024C35MZC的Datasheet PDF文件第6页 

与EDI8F321024C35MZC相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
EDI8F321024C45MNC WEDC

获取价格

SRAM Module, 4MX8, 45ns, CMOS,
EDI8F321024C45MZC WEDC

获取价格

SRAM Module, 4MX8, 45ns, CMOS,
EDI8F321024CA12MMC ETC

获取价格

x32 SRAM Module
EDI8F321024CA12MNC ETC

获取价格

x32 SRAM Module
EDI8F321024CA15MMC ETC

获取价格

x32 SRAM Module
EDI8F321024CA15MNC ETC

获取价格

x32 SRAM Module
EDI8F32128B10MZC WEDC

获取价格

SRAM Module, 128KX32, 10ns, PZIP64,
EDI8F32128B12MZC WEDC

获取价格

SRAM Module, 128KX32, 12ns, PZIP64,
EDI8F32128C WEDC

获取价格

128KX32 STATIC RAM CMOS, HIGH SPEED MODULE
EDI8F32128C100BAC WEDC

获取价格

SRAM Module, 128KX32, 100ns, CMOS, PQCC68,