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EDI8F32128B10MZC

更新时间: 2024-01-12 21:00:53
品牌 Logo 应用领域
WEDC 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 321K
描述
SRAM Module, 128KX32, 10ns, PZIP64,

EDI8F32128B10MZC 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.92
最长访问时间:10 ns其他特性:CONFIGURABLE AS 128K X 32
备用内存宽度:16I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XZMA-T64JESD-609代码:e0
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:SRAM MODULE
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:64
字数:524288 words字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:512KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:ZIP
封装等效代码:ZIP64/68,.1,.1封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.04 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.68 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:BICMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:1.27 mm
端子位置:ZIG-ZAG处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

EDI8F32128B10MZC 数据手册

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