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EDI8F321024C35MMC

更新时间: 2024-01-06 10:32:06
品牌 Logo 应用领域
WEDC 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 234K
描述
SRAM Module, 4MX8, 35ns, CMOS,

EDI8F321024C35MMC 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.83
最长访问时间:35 ns其他特性:CONFIGURABLE AS 1M X 32
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XSMA-N72
内存密度:33554432 bit内存集成电路类型:SRAM MODULE
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:72字数:4194304 words
字数代码:4000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:4MX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:SIMM
封装等效代码:SSIM72封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.08 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:1.88 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

EDI8F321024C35MMC 数据手册

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