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EDI88512CA20MMRP

更新时间: 2024-02-21 22:09:35
品牌 Logo 应用领域
WEDC 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 298K
描述
Standard SRAM, 512KX8, 20ns, CMOS, PDSO36,

EDI88512CA20MMRP 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.91
Is Samacsys:N最长访问时间:20 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-J36
JESD-609代码:e0内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
端子数量:36字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:512KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ36,.44封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.18 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

EDI88512CA20MMRP 数据手册

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