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EDI88512CA20TM

更新时间： 2024-01-03 03:19:50

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EDI88512CA20TM 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.63	最长访问时间：	20 ns
其他特性：	TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-CDIP-T32	长度：	40.64 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	512KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP32,.4	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.937 mm
最大待机电流：	0.025 A	最小待机电流：	4.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.225 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
EDI88512CA25B32B	MICROSEMI	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 25ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, DFP-32
EDI88512CA25B32C	MICROSEMI	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 25ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, DFP-32
EDI88512CA25B32I	MICROSEMI	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 25ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, DFP-32
EDI88512CA25B32M	ETC	获取价格	x8 SRAM
EDI88512CA25CB	MERCURY	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 25ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32
EDI88512CA25CC	MERCURY	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 25ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32
EDI88512CA25CI	MICROSEMI	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 25ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32
EDI88512CA25CI	MERCURY	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 25ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32
EDI88512CA25CM	ETC	获取价格	x8 SRAM
EDI88512CA25F32B	MICROSEMI	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 25ns, CMOS, CDFP32, CERAMIC, DFP-32