是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | SOJ | 包装说明: | SOJ, |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A001.A.2.C | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.02 | 最长访问时间: | 45 ns |
JESD-30 代码: | R-CDSO-J32 | 长度: | 21.082 mm |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 128KX8 | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | SOJ | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | MIL-STD-883 | 座面最大高度: | 3.937 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 11.05 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
EDI88130CS45NC | MICROSEMI |
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Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, SOJ-32 |
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EDI88130CS45NI | MICROSEMI |
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Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, SOJ-32 |
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EDI88130CS45NI | MERCURY |
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Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, CDSO32, SOJ-32 |
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EDI88130CS45NM | MICROSEMI |
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Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, SOJ-32 |
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EDI88130CS45TB | MICROSEMI |
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Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, CDIP32, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32 |
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EDI88130CS45TC | MICROSEMI |
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Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, CDIP32, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32 |
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EDI88130CS45TI | MICROSEMI |
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Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, CDIP32, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32 |
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EDI88130CS45TM | MICROSEMI |
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Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, CDIP32, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32 |
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EDI88130CS55CB | MICROSEMI |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32 |
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EDI88130CS55CC | MICROSEMI |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32 |
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