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EDC8UV7242-70TG-S

更新时间： 2024-02-26 18:04:37

品牌	Logo	应用领域
富士通 - FUJITSU		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	137K
描述
EDO DRAM Module, 8MX72, 70ns, CMOS, PDMA168

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技术参数
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EDC8UV7242-70TG-S 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	DIMM, DIMM168	针数：	168
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最长访问时间：	70 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDMA-N168	内存密度：	603979776 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM MODULE	内存宽度：	72
端子数量：	168	字数：	8388608 words
字数代码：	8000000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	8MX72
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM168
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	2048	座面最大高度：	38.1 mm
最大待机电流：	0.036 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	1.746 mA	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

EDC8UV7242-70TG-S 数据手册

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October 1996

Revision 1.0

EDC8UV724(2/4)-(60/70)(J/T)G-S

Functional Diagram

CAS7*

CAS6*

CAS5*

CAS4*

CAS3*

CAS2*

CAS1*

CAS0*

OE0*

WE0*

RAS0*

4M x 8

Block

OE2*

WE2*

RAS2*

4M x 8

Block

4M x 8

Block

4M x12

Block

4M x 8

Block

4M x 8

Block

4MX12

Block

4M x 8

Block

4M x12

Block

4M x 8

Block

4M x 8

Block

4M x 8

Block

4M x 8

Block

4M x 8

Block

4MX12

Block

4M x 8

Block

RAS3*

RAS1*

C4~C7

D40~D47

C0~C3

D8~D15

D56~D63

D32~D39

D24~D31

D48~D55

D0~D7

D16~D23

DQ0~DQ63, C0~CB7

SA0

SA1

SA2

SCL

SDA

Serial

EEPROM

Device

Decoupling capacitors

to all devices

(All speciﬁcations of the device are subject to change without notice.)

Notes:

1. “*” signiﬁes active low signal.

2. Addresses A0 ~ A10/A11 are connected to all devices.

3. (A11 is NC for 2K refresh module)

4. Each 4Mx8 block contains two 4Mx4 devices, and each 4Mx12 block contains three 4Mx4 devices.

Fujitsu Microelectronics, Inc.

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