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EBE20RE4ABFA-6E-E

更新时间: 2024-02-01 20:07:51
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尔必达 - ELPIDA 动态存储器双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
29页 240K
描述
2GB Registered DDR2 SDRAM DIMM

EBE20RE4ABFA-6E-E 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIMM包装说明:DIMM, DIMM240,40
针数:240Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.36
风险等级:5.84访问模式:SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.45 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):333 MHzI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XDMA-N240内存密度:19327352832 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM MODULE内存宽度:72
功能数量:1端口数量:1
端子数量:240字数:268435456 words
字数代码:256000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:
组织:256MX72输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DIMM
封装等效代码:DIMM240,40封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:1.8 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192自我刷新:YES
最大待机电流:0.75 A子类别:DRAMs
最大压摆率:6.61 mA最大供电电压 (Vsup):1.9 V
最小供电电压 (Vsup):1.7 V标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:OTHER端子形式:NO LEAD
端子节距:1 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

EBE20RE4ABFA-6E-E 数据手册

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EBE20RE4ABFA  
Block Diagram  
VSS  
/RCS0  
RS  
RS  
RS  
RS  
DQS9  
/DQS9  
DQS0  
/DQS0  
/CS  
DM  
DQS /DQS  
DQS /DQS  
DQS /DQS  
DQS /DQS  
DQS /DQS  
DQS /DQS  
DQS /DQS  
DQS /DQS  
DQS /DQS  
/CS  
DM  
DQS /DQS  
DQS /DQS  
DQS /DQS  
DQS /DQS  
DQS /DQS  
DQS /DQS  
DQS /DQS  
DQS /DQS  
DQS /DQS  
RS  
RS  
RS  
RS  
RS  
RS  
RS  
RS  
RS  
4
RS  
RS  
RS  
RS  
RS  
RS  
RS  
RS  
RS  
4
DQ0  
to DQ3  
DQ0  
to DQ3  
DQ0 to DQ3  
DQ4 to DQ7  
D0  
D9  
RS  
RS  
RS  
RS  
DQS10  
/DQS10  
DQS1  
/DQS1  
/CS  
DM  
/CS  
DM  
4
4
DQ0  
to DQ3  
DQ0  
to DQ3  
DQ8 to DQ11  
DQ12 to DQ15  
D1  
D10  
RS  
RS  
RS  
RS  
DQS11  
/DQS11  
DQS2  
/DQS2  
/CS  
DM  
/CS  
DM  
4
4
DQ0  
to DQ3  
DQ16 to DQ19  
DQ0  
to DQ3  
DQ20 to DQ23  
D2  
D11  
RS  
RS  
RS  
RS  
DQS12  
/DQS12  
DQS3  
/DQS3  
/CS  
DM  
/CS  
DM  
4
4
DQ0  
to DQ3  
DQ24 to DQ27  
DQ28 to DQ31  
DQ0  
to DQ3  
D3  
D12  
RS  
RS  
RS  
RS  
DQS13  
/DQS13  
DQS4  
/DQS4  
/CS  
DM  
/CS  
DM  
4
4
DQ0  
to DQ3  
DQ0  
to DQ3  
DQ32 to DQ35  
DQ36 to DQ39  
D4  
D13  
RS  
RS  
RS  
RS  
DQS14  
/DQS14  
DQS5  
/DQS5  
/CS  
DM  
/CS  
DM  
4
4
DQ0  
to DQ3  
DQ0  
to DQ3  
DQ40 to DQ43  
DQ44 to DQ47  
D5  
D14  
RS  
RS  
RS  
RS  
DQS15  
/DQS15  
Serial PD  
DQS6  
/DQS6  
SCL  
SDA  
SCL  
SDA  
/CS  
DM  
/CS  
DM  
U0  
4
4
DQ0  
to DQ3  
DQ48 to DQ51  
DQ52 to DQ55  
DQ0  
to DQ3  
D6  
D15  
A1 A2  
WP A0  
RS  
RS  
RS  
RS  
SA0 SA1  
SA2  
DQS7  
DQS16  
/DQS16  
/DQS7  
/CS  
DM  
/CS  
DM  
VDDSPD  
VDD  
Serial PD  
4
4
DQ0  
to DQ3  
DQ56 to DQ59  
DQ0  
to DQ3  
D0 to D17  
DQ60 to DQ63  
D7  
D16  
D0 to D17  
D0 to D17  
VREF  
VSS  
RS  
RS  
RS  
RS  
DQS8  
DQS17  
/DQS17  
/DQS8  
/CS  
DM  
/CS  
DM  
D0 to D17: 1G bits DDR2 SDRAM  
U0: 2K bits EEPROM  
RS: 22  
4
4
DQ0  
to DQ3  
DQ0  
to DQ3  
CB0 to CB3  
CB4 to CB7  
D8  
D17  
PLL: CUA877  
Register: SSTUA32866  
R
S
2
Notes:  
1. DQ wring may be changed within a nibble.  
2. /CS connects to /DCS of register and /CSR of register2.  
/CSR of register1 and /DCS of register2 connects to VDD.  
3. /RESET, PCK7 and /PCK7 connect to both registers.  
Other signals to one of two registers.  
/CS*  
/RCS0 -> /CS: SDRAMs D0 to D17  
R
E
G
I
S
T
E
R
R
S
R
S
R
S
BA0 to BA2  
A0 to A13  
/RAS  
RBA0 to RBA2 -> BA0 to BA2: SDRAMs D0 to D17  
RA0 to RA13 -> A0 to A13: SDRAMs D0 to D17  
/RRAS -> /RAS: SDRAMs D0 to D17  
/RCAS -> /CAS: SDRAMs D0 to D17  
RCKE0 -> CKE: SDRAMs D0 to D17  
/RWE -> /WE: SDRAMs D0 to D17  
R
S
R
S
R
S
R
S
/CAS  
CKE0  
P
L
L
PCK0 to PCK6, PCK8, PCK9 -> CK: SDRAMs D0 to D17  
CK0  
/CK0  
/WE  
/PCK0 to /PCK6, /PCK8, /PCK9 -> /CK: SDRAMs D0 to D17  
ODT0  
RODT0 -> ODT0: SDRAMs D0 to D17  
PCK7 -> CK: register  
/PCK7 -> /CK: register  
/RESET  
OE  
/RST  
3
3
/RESET*  
PCK7  
/PCK7  
*
3
*
Data Sheet E0873E40 (Ver. 4.0)  
8

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