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Datasheet > 暂无类别数据> EBE20AE4ACFA-6E-E
EBE20AE4ACFA-6E-E PDF预览

EBE20AE4ACFA-6E-E

更新时间： 2024-02-19 09:34:28
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尔必达 - ELPIDA 动态存储器双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
27页 228K
描述
2GB Registered DDR2 SDRAM DIMM

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EBE20AE4ACFA-6E-E 数据手册

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EBE20AE4ACFA  
Serial PD Matrix  
Byte No. Function described  
Bit7 Bit6 Bit5 Bit4 Bit3 Bit2 Bit1 Bit0 Hex value Comments  
Number of bytes utilized by module  
manufacturer  
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
80H  
08H  
128 bytes  
256 bytes  
Total number of bytes in serial PD  
device  
2
3
4
5
6
7
8
Memory type  
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
0
1
0
0
0
1
0
0
0
0
1
0
1
1
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
1
08H  
0EH  
0BH  
60H  
48H  
00H  
05H  
DDR2 SDRAM  
Number of row address  
Number of column address  
Number of DIMM ranks  
Module data width  
14  
11  
1
72  
Module data width continuation  
0
Voltage interface level of this assembly 0  
SSTL 1.8V  
DDR SDRAM cycle time, CL = 5  
-8E  
9
0
0
0
1
1
0
1
1
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
1
1
0
0
0
0
1
1
0
0
1
0
25H  
30H  
40H  
45H  
06H  
2.5ns*1  
3.0ns*1  
0.4ns*1  
0.45ns*1  
-6E  
0
0
0
0
SDRAM access from clock (tAC)  
-8E  
10  
-6E  
ECC, Address/  
11  
DIMM configuration type  
Command Parity  
12  
13  
14  
15  
Refresh rate/type  
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
1
0
0
0
0
0
0
0
82H  
04H  
04H  
00H  
7.8µs  
× 4  
× 4  
0
Primary SDRAM width  
Error checking SDRAM width  
Reserved  
SDRAM device attributes:  
Burst length supported  
16  
17  
18  
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
1
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0CH  
08H  
38H  
4,8  
SDRAM device attributes: Number of  
banks on SDRAM device  
8
SDRAM device attributes:  
/CAS latency  
3, 4, 5  
19  
20  
21  
DIMM Mechanical Characteristics  
DIMM type information  
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
01H  
01H  
00H  
4.00mm max.  
Registered  
Normal  
SDRAM module attributes  
Weak Driver  
50Ω ODT Support  
22  
23  
24  
25  
26  
SDRAM device attributes: General  
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
0
1
0
0
1
0
1
1
1
0
0
1
0
0
0
0
1
0
0
0
1
0
0
0
0
1
1
0
0
0
03H  
3DH  
50H  
50H  
60H  
Minimum clock cycle time at CL = 4  
3.75ns*1  
0.5ns*1  
5.0ns*1  
0.6ns*1  
Maximum data access time (tAC) from  
clock at CL = 4  
Minimum clock cycle time at CL = 3  
Maximum data access time (tAC) from  
clock at CL = 3  
Minimum row precharge time (tRP)  
-8E  
27  
0
0
0
0
0
0
1
1
0
1
1
1
0
1
1
0
1
1
1
0
1
0
0
0
32H  
3CH  
1EH  
12.5ns  
15ns  
-6E  
Minimum row active to row active  
delay (tRRD)  
28  
29  
7.5ns  
Minimum /RAS to /CAS delay (tRCD)  
-8E  
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
0
0
1
1
0
1
1
1
0
0
0
0
1
32H  
3CH  
2DH  
12.5ns  
15ns  
-6E  
Minimum active to precharge time  
(tRAS)  
30  
45ns  
Data Sheet E1076E30 (Ver. 3.0)  
5
12345678...27

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EBE20AE4ACFA-8E-E ELPIDA 2GB Registered DDR2 SDRAM DIMM

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