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Datasheet > 存储 > DRAM> EBE11UE6ACSA-8E-E
EBE11UE6ACSA-8E-E PDF预览

EBE11UE6ACSA-8E-E

更新时间： 2024-01-25 18:53:21
品牌 Logo 应用领域
尔必达 - ELPIDA 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
页数 文件大小 规格书
27页 287K
描述
1GB DDR2 SDRAM SO-DIMM

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EBE11UE6ACSA-8E-E 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：MODULE包装说明：DIMM, DIMM200,24
针数：200Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.36
风险等级：5.84Is Samacsys：N
访问模式：DUAL BANK PAGE BURST最长访问时间：0.4 ns
其他特性：AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK)：400 MHz
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-XDMA-N200
内存密度：8589934592 bit内存集成电路类型：DDR DRAM MODULE
内存宽度：64功能数量：1
端口数量：1端子数量：200
字数：134217728 words字数代码：128000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：组织：128MX64
输出特性：3-STATE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：DIMM封装等效代码：DIMM200,24
封装形状：RECTANGULAR封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：1.8 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：8192
自我刷新：YES最大待机电流：0.08 A
子类别：DRAMs最大压摆率：1.76 mA
最大供电电压 (Vsup)：1.9 V最小供电电压 (Vsup)：1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：OTHER
端子形式：NO LEAD端子节距：0.6 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

EBE11UE6ACSA-8E-E 数据手册

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EBE11UE6ACSA  
Byte No. Function described  
Maximum data access time (tAC)  
Bit7 Bit6 Bit5 Bit4 Bit3 Bit2 Bit1 Bit0 Hex value Comments  
26  
from clock at CL = X − 2  
0
1
1
0
0
0
0
0
60H  
0.6ns*1  
-8E, -6E (CL = 3)  
-8G (CL = 4)  
0
0
0
0
1
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
0
0
0
1
1
0
0
1
0
0
1
0
0
0
0
0
0
50H  
32H  
3CH  
28H  
0.5ns*1  
12.5ns  
15ns  
Minimum row precharge time (tRP)  
-8E  
27  
-8G, -6E  
Minimum row active to row active  
28  
29  
10ns  
delay (tRRD)  
Minimum /RAS to /CAS delay (tRCD)  
-8E  
0
0
0
1
0
0
0
0
1
1
1
0
1
1
0
0
0
1
1
0
0
1
1
0
1
0
0
0
0
0
1
0
32H  
3CH  
2DH  
80H  
12.5ns  
15ns  
-8G, -6E  
Minimum active to precharge time  
(tRAS)  
Module rank density  
30  
31  
45ns  
512M bytes  
Address and command setup time  
before clock (tIS)  
32  
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
1
1
1
1
0
0
1
0
1
0
1
1
1
17H  
20H  
25H  
27H  
05H  
0.17ns*1  
0.20ns*1  
0.25ns*1  
0.27ns*1  
0.05ns*1  
-8E, -8G  
-6E  
Address and command hold time  
after clock (tIH)  
-8E, -8G  
33  
-6E  
Data input setup time before clock  
(tDS)  
-8E, -8G  
34  
35  
-6E  
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0
0
0
1
0
0
10H  
12H  
0.10ns*1  
0.12ns*1  
Data input hold time after clock (tDH)  
-8E, -8G  
-6E  
0
0
0
0
0
1
1
1
0
1
1
1
1
0
1
0
17H  
3CH  
0.17ns*1  
15ns*1  
36  
37  
Write recovery time (tWR)  
Internal write to read command delay  
(tWTR)  
Internal read to precharge command  
delay (tRTP)  
Memory analysis probe  
characteristics  
Extension of Byte 41 and 42  
-8E  
-8G, -6E  
Active command period (tRC)  
-8E  
-8G, -6E  
Auto refresh to active/  
Auto refresh command cycle (tRFC)  
SDRAM tCK cycle max. (tCK max.)  
Dout to DQS skew  
-8E, -8G  
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
1
1
0
1
1
0
1
1
0
0
0
0
1EH  
1EH  
00H  
7.5ns*1  
7.5ns*1  
TBD  
38  
39  
40  
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
1
0
1
1
1
0
0
0
0
1
0
1
1
1
0
1
1
1
0
0
1
1
1
0
0
1
1
1
1
0
1
1
0
1
0
1
1
1
0
0
1
0
0
0
1
0
0
1
0
1
0
0
0
0
36H  
06H  
39H  
3CH  
7FH  
80H  
14H  
18H  
1EH  
41  
57.5ns*1  
60ns*1  
42  
43  
44  
127.5ns*1  
8ns*1  
0.20ns*1  
0.24ns*1  
0.30ns*1  
-6E  
Data hold skew (tQHS)  
-8E, -8G  
-6E  
45  
46  
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
22H  
00H  
0.34ns*1  
PLL relock time  
Undefined  
Data Sheet E1045E20 (Ver. 2.0)  
6
1...3456789...27

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