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EBE11UD8AJUA-8E-E

更新时间: 2024-02-29 13:19:02
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尔必达 - ELPIDA 时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数 文件大小 规格书
28页 259K
描述
DDR DRAM Module, 128MX64, 0.4ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200

EBE11UD8AJUA-8E-E 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SODIMM包装说明:DIMM, DIMM200,24
针数:200Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.36
风险等级:5.84访问模式:DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.4 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):400 MHzI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XZMA-N200JESD-609代码:e4
内存密度:8589934592 bit内存集成电路类型:DDR DRAM MODULE
内存宽度:64功能数量:1
端口数量:1端子数量:200
字数:134217728 words字数代码:128000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:组织:128MX64
输出特性:3-STATE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIMM封装等效代码:DIMM200,24
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:1.8 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:8192
自我刷新:YES最大待机电流:0.16 A
子类别:DRAMs最大压摆率:1.6 mA
最大供电电压 (Vsup):1.9 V最小供电电压 (Vsup):1.7 V
标称供电电压 (Vsup):1.8 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:OTHER
端子形式:NO LEAD端子节距:0.6 mm
端子位置:ZIG-ZAG处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

EBE11UD8AJUA-8E-E 数据手册

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EBE11UD8AJUA  
Pin Description  
Pin name  
Function  
Address input  
Row address  
Column address  
A0 to A13  
A0 to A13  
A0 to A9  
A10 (AP)  
Auto precharge  
BA0, BA1  
Bank select address  
Data input/output  
DQ0 to DQ63  
/RAS  
Row address strobe command  
Column address strobe command  
Write enable  
/CAS  
/WE  
/CS0, /CS1  
Chip select  
CKE0, CKE1  
Clock enable  
CK0, CK1  
Clock input  
/CK0, /CK1  
Differential clock input  
Input and output data strobe  
Input mask  
DQS0 to DQS7, /DQS0 to /DQS7  
DM0 to DM7  
SCL  
Clock input for serial PD  
Data input/output for serial PD  
Serial address input  
Power for internal circuit  
Power for serial EEPROM  
Input reference voltage  
Ground  
SDA  
SA0, SA1  
VDD  
VDDSPD  
VREF  
VSS  
ODT0, ODT1  
NC  
ODT control  
No connection  
Data Sheet E1083E20 (Ver. 2.0)  
4

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
EBE11UD8AJUA-8G-E ELPIDA DDR DRAM Module, 128MX64, 0.4ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200

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EBE11UD8AJWA ELPIDA 1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM

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