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EBE11UD8AESA-4A-E PDF预览

EBE11UD8AESA-4A-E

更新时间： 2024-02-03 02:26:58
品牌 Logo 应用领域
尔必达 - ELPIDA 动态存储器双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
22页 210K
描述
1GB DDR2 SDRAM SO-DIMM (128M words x 64 bits, 2 Ranks)

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EBE11UD8AESA-4A-E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：MODULE包装说明：DIMM, DIMM200,24
针数：200Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.36
风险等级：5.84访问模式：DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间：0.6 ns其他特性：AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：200 MHzI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-XDMA-N200内存密度：8589934592 bit
内存集成电路类型：DDR DRAM MODULE内存宽度：64
功能数量：1端口数量：1
端子数量：200字数：134217728 words
字数代码：128000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：
组织：128MX64输出特性：3-STATE
封装主体材料：UNSPECIFIED封装代码：DIMM
封装等效代码：DIMM200,24封装形状：RECTANGULAR
封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：1.8 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：8192自我刷新：YES
最大待机电流：0.128 A子类别：DRAMs
最大压摆率：2.88 mA最大供电电压 (Vsup)：1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：1.7 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：OTHER端子形式：NO LEAD
端子节距：0.6 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

EBE11UD8AESA-4A-E 数据手册

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EBE11UD8AESA  
Electrical Specifications  
• All voltages are referenced to VSS (GND).  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
VT  
Value  
Unit  
Note  
1
Voltage on any pin relative to VSS  
Supply voltage relative to VSS  
Short circuit output current  
Power dissipation  
–0.5 to +2.3  
–0.5 to +2.3  
50  
V
VDD  
IOS  
PD  
V
mA  
W
°C  
°C  
1
8
Operating case temperature  
Storage temperature  
TC  
0 to +95  
–55 to +100  
1, 2  
1
Tstg  
Note: 1. DDR2 SDRAM component specification.  
2. Supporting 0°C to +85°C and being able to extend to +95°C with doubling auto-refresh commands in  
frequency to a 32ms period (tREFI = 3.9µs) and higher temperature self-refresh entry via the control of  
EMRS (2) bit A7 is required.  
Caution Exposing the device to stress above those listed in Absolute Maximum Ratings could cause  
permanent damage. The device is not meant to be operated under conditions outside the limits  
described in the operational section of this specification Exposure to Absolute Maximum Rating  
conditions for extended periods may affect device reliability.  
DC Operating Conditions (TC = 0°C to +85°C) (DDR2 SDRAM Component Specification)  
Parameter  
Symbol  
VDD, VDDQ  
VSS  
min.  
typ.  
1.8  
0
max.  
1.9  
0
Unit  
V
Notes  
4
Supply voltage  
1.7  
0
V
VDDSPD  
VREF  
1.7  
—
3.6  
V
Input reference voltage  
Termination voltage  
DC input logic high  
DC input low  
0.49 × VDDQ  
VREF − 0.04  
VREF + 0.125  
−0.3  
0.50 × VDDQ 0.51 × VDDQ  
V
1, 2  
3
VTT  
VREF  
VREF + 0.04  
VDDQ + 0.3V  
VREF – 0.125  
V
VIH (DC)  
VIL (DC)  
V
V
AC input logic high  
-6E  
VIH (AC)  
VIH (AC)  
VIL (AC)  
VIL (AC)  
VREF + 0.200  
VREF + 0.250  
V
V
V
V
-5C, -4A  
AC input low  
-6E  
VREF − 0.200  
VREF − 0.250  
-5C, -4A  
Notes: 1. The value of VREF may be selected by the user to provide optimum noise margin in the system. Typically  
the value of VREF is expected to be about 0.5 × VDDQ of the transmitting device and VREF are expected  
to track variations in VDDQ.  
2. Peak to peak AC noise on VREF may not exceed ±2% VREF (DC).  
3. VTT of transmitting device must track VREF of receiving device.  
4. VDDQ must be equal to VDD.  
Data Sheet E0589E30 (Ver. 3.0)  
9
1...6789101112...22

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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