5秒后页面跳转
EBE11FD8AHFL-5C-E PDF预览

EBE11FD8AHFL-5C-E

更新时间: 2024-01-01 17:42:50
品牌 Logo 应用领域
尔必达 - ELPIDA 存储内存集成电路动态存储器时钟
页数 文件大小 规格书
22页 190K
描述
1GB Fully Buffered DIMM

EBE11FD8AHFL-5C-E 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIMM, DIMM240,40Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.69Is Samacsys:N
最大时钟频率 (fCLK):267 MHzI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDMA-N240内存密度:9663676416 bit
内存宽度:72端子数量:240
字数:134217728 words字数代码:128000000
最高工作温度:85 °C最低工作温度:
组织:128MX72输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIMM
封装等效代码:DIMM240,40封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY电源:1.5,1.8 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:8192
子类别:Other Memory ICs最大压摆率:3.4 mA
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:OTHER端子形式:NO LEAD
端子节距:1 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

EBE11FD8AHFL-5C-E 数据手册

 浏览型号EBE11FD8AHFL-5C-E的Datasheet PDF文件第4页浏览型号EBE11FD8AHFL-5C-E的Datasheet PDF文件第5页浏览型号EBE11FD8AHFL-5C-E的Datasheet PDF文件第6页浏览型号EBE11FD8AHFL-5C-E的Datasheet PDF文件第8页浏览型号EBE11FD8AHFL-5C-E的Datasheet PDF文件第9页浏览型号EBE11FD8AHFL-5C-E的Datasheet PDF文件第10页 
EBE11FD8AHFT, EBE11FD8AHFE, EBE11FD8AHFL  
Block Diagram  
/CS1  
/CS0  
/DQS0  
DQS0  
/DQS4  
DQS4  
DQS13  
DQS9  
DM/  
RDQS  
DM/  
RDQS  
DM/  
RDQS  
DM/  
RDQS  
/CS DQS /DQS  
/CS DQS /DQS  
/CS DQS /DQS  
/CS DQS /DQS  
NU/  
NU/  
NU/  
NU/  
/RDQS  
/RDQS  
D0  
D9  
D4  
D13  
/RDQS  
/RDQS  
8
8
DQ0  
to DQ7  
DQ0  
to DQ7  
DQ0  
to DQ7  
DQ0  
to DQ7  
DQ32 to DQ39  
DQ0 to DQ7  
/DQS1  
DQS1  
/DQS5  
DQS5  
DQS14  
DQS10  
DM/  
RDQS  
DM/  
RDQS  
DM/  
RDQS  
DM/  
RDQS  
/CS DQS /DQS  
/CS DQS /DQS  
/CS DQS /DQS  
/CS DQS /DQS  
NU/  
NU/  
NU/  
NU/  
/RDQS  
/RDQS  
D1  
D10  
D5  
D14  
/RDQS  
/RDQS  
8
8
DQ0  
to DQ7  
DQ0  
to DQ7  
DQ40 to DQ47  
DQ0  
to DQ7  
DQ0  
to DQ7  
DQ8 to DQ15  
/DQS2  
DQS2  
/DQS6  
DQS6  
DQS15  
DQS11  
DM/  
RDQS  
DM/  
RDQS  
DM/  
RDQS  
DM/  
RDQS  
/CS DQS /DQS  
/CS DQS /DQS  
/CS DQS /DQS  
/CS DQS /DQS  
NU/  
NU/  
NU/  
NU/  
/RDQS  
/RDQS  
D2  
D11  
/RDQS  
/RDQS  
D6  
D15  
8
8
DQ0  
to DQ7  
DQ0  
to DQ7  
DQ0  
to DQ7  
DQ0  
to DQ7  
DQ48 to DQ55  
DQ16 to DQ23  
/DQS3  
DQS3  
/DQS7  
DQS7  
DQS16  
DQS12  
DM/  
RDQS  
DM/  
RDQS  
DM/  
RDQS  
DM/  
RDQS  
/CS DQS /DQS  
/CS DQS /DQS  
/CS DQS /DQS  
/CS DQS /DQS  
NU/  
NU/  
NU/  
NU/  
/RDQS  
/RDQS  
D7  
D16  
/RDQS D3  
/RDQS D12  
8
8
DQ0  
to DQ7  
DQ0  
to DQ7  
DQ0  
to DQ7  
DQ0  
to DQ7  
DQ56 to DQ63  
DQ24 to DQ31  
/DQS8  
DQS8  
DQS17  
PN0 to PN13  
/PN0 to /PN13  
PS0 to PS9  
SN0 to SN13  
/SN0 to /SN13  
SS0 to SS9  
DM/  
RDQS  
DM/  
RDQS  
/CS DQS /DQS  
/CS DQS /DQS  
/PS0 to /PS9  
/SS0 to /SS9  
NU/  
NU/  
/RDQS  
/RDQS  
D8  
D17  
8
DQ0 to DQ63  
CB0 to CB7  
DQS0 to DQS17  
/DQS0 to /DQS8  
/CS0 -> /CS (D0 to D8)  
CKE0 -> CKE (D0 to D8)  
/CS1 -> /CS (D9 to D17)  
CKE1 -> CKE (D9 to D17)  
ODT -> ODT (all SDRAMs)  
BA0, BA1 (all SDRAMs)  
DQ0  
to DQ7  
DQ0  
to DQ7  
CB0 to CB7  
A
M
B
SCL  
SDA  
Serial PD  
SA0 to SA2  
A0 to A13 (all SDRAMs)  
/RAS (all SDRAMs)  
/CAS (all SDRAMs)  
/WE (all SDRAMs)  
CK/ /CK  
SCL  
SDA  
SDA  
U0  
/RESET  
Teminators  
AMB  
VTT  
WP A0 A1 A2  
SCK/ /SCK  
VCC  
SA0 SA1 SA2  
SPD, AMB  
VDDSPD  
VDD  
D0 to D17, AMB  
All address/command/control/clock  
VTT  
* D0 to D17 : 512M bits DDR2 SDRAM  
U0 : 256 bytes EEPROM  
D0 to D17  
VREF  
VSS  
D0 to D17, SPD, AMB  
Notes:  
1. DQ wiring may be changed within a byte.  
2. There are two physical copies of each address/command/control/clock  
Preliminary Data Sheet E1000E30 (Ver. 3.0)  
7

与EBE11FD8AHFL-5C-E相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
EBE11FD8AHFL-6E-E ELPIDA 1GB Fully Buffered DIMM

获取价格

EBE11FD8AHFT ELPIDA 1GB Fully Buffered DIMM

获取价格

EBE11FD8AHFT-5C-E ELPIDA 1GB Fully Buffered DIMM

获取价格

EBE11FD8AHFT-6E-E ELPIDA 1GB Fully Buffered DIMM

获取价格

EBE11FD8AJFT ELPIDA 1GB Fully Buffered DIMM

获取价格

EBE11FD8AJFT-6E-E ELPIDA 1GB Fully Buffered DIMM

获取价格