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EBE11ED8AGWA-5C-E PDF预览

EBE11ED8AGWA-5C-E

更新时间： 2024-01-13 19:11:22
品牌 Logo 应用领域
尔必达 - ELPIDA 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
25页 211K
描述
1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM

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EBE11ED8AGWA-5C-E 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DIMM
包装说明：DIMM,针数：240
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.36风险等级：5.84
Is Samacsys：N访问模式：DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间：0.5 ns其他特性：AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：R-XDMA-N240内存密度：9663676416 bit
内存集成电路类型：DDR DRAM MODULE内存宽度：72
功能数量：1端口数量：1
端子数量：240字数：134217728 words
字数代码：128000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：
组织：128MX72封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：DIMM封装形状：RECTANGULAR
封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY认证状态：Not Qualified
自我刷新：YES最大供电电压 (Vsup)：1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：1.7 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：OTHER端子形式：NO LEAD
端子位置：DUALBase Number Matches：1

EBE11ED8AGWA-5C-E 数据手册

 浏览型号EBE11ED8AGWA-5C-E的Datasheet PDF文件第3页浏览型号EBE11ED8AGWA-5C-E的Datasheet PDF文件第4页浏览型号EBE11ED8AGWA-5C-E的Datasheet PDF文件第5页浏览型号EBE11ED8AGWA-5C-E的Datasheet PDF文件第7页浏览型号EBE11ED8AGWA-5C-E的Datasheet PDF文件第8页浏览型号EBE11ED8AGWA-5C-E的Datasheet PDF文件第9页 
EBE11ED8AGWA  
Byte No. Function described  
Bit7 Bit6 Bit5 Bit4 Bit3 Bit2 Bit1 Bit0 Hex value Comments  
29  
30  
31  
32  
Minimum /RAS to /CAS delay (tRCD) 0  
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
1
1
1
1
0
1
0
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
1
1
1
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
1
0
0
1
1
1
0
3CH  
2DH  
80H  
20H  
25H  
27H  
37H  
10H  
15ns  
Minimum active to precharge time  
(tRAS)  
-6E, -5C  
0
1
0
0
0
0
0
45ns  
Module rank density  
512M bytes  
0.20ns*1  
0.25ns*1  
0.27ns*1  
0.37ns*1  
0.10ns*1  
Address and command setup time  
before clock (tIS)  
-6E  
-5C  
Address and command hold time  
after clock (tIH)  
-6E  
33  
-5C  
Data input setup time before clock  
(tDS)  
34  
35  
-6E, -5C  
Data input hold time after clock (tDH)  
-6E  
0
0
0
1
0
1
1
1
17H  
0.17ns*1  
-5C  
0
0
0
0
1
1
0
1
0
1
0
1
1
0
0
0
22H  
3CH  
0.22ns*1  
15ns*1  
36  
37  
Write recovery time (tWR)  
Internal write to read command delay  
(tWTR)  
-6E, -5C  
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
0
0
1EH  
1EH  
7.5ns*1  
7.5ns*1  
Internal read to precharge command  
delay (tRTP)  
38  
Memory analysis probe  
characteristics  
39  
40  
41  
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
1
0
0
1
0
0
1
0
0
0
0
0
0
00H  
00H  
3CH  
TBD  
Extension of Byte 41 and 42  
Undefined  
60ns*1  
Active command period (tRC)  
-6E, -5C  
Auto refresh to active/  
Auto refresh command cycle (tRFC)  
42  
43  
44  
0
1
0
0
0
1
0
0
0
0
1
0
0
0
1
0
0
1
1
0
1
0
1
1
0
0
0
0
1
0
0
0
0
1
1
1
0
0
0
0
69H  
80H  
18H  
1EH  
22H  
105ns*1  
8ns*1  
SDRAM tCK cycle max. (tCK max.)  
Dout to DQS skew  
-6E  
0.24ns*1  
0.30ns*1  
0.34ns*1  
-5C  
Data hold skew (tQHS)  
-6E  
45  
-5C  
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
28H  
00H  
00H  
0.40ns*1  
46  
PLL relock time  
Undefined  
47 to 61  
Preliminary Data Sheet E0920E10 (Ver. 1.0)  
6
1...3456789...25

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
EBE11ED8AGWA-6E-E ELPIDA 1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM

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EBE11ED8AHFA-8E-E ELPIDA DDR DRAM Module, 128MX72, 0.4ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-240

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