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EBE11ED8AGWA-5C-E

更新时间: 2024-01-17 07:17:50
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尔必达 - ELPIDA 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
25页 211K
描述
1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM

EBE11ED8AGWA-5C-E 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIMM
包装说明:DIMM,针数:240
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.36风险等级:5.84
Is Samacsys:N访问模式:DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.5 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码:R-XDMA-N240内存密度:9663676416 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM MODULE内存宽度:72
功能数量:1端口数量:1
端子数量:240字数:134217728 words
字数代码:128000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:
组织:128MX72封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIMM封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY认证状态:Not Qualified
自我刷新:YES最大供电电压 (Vsup):1.9 V
最小供电电压 (Vsup):1.7 V标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:OTHER端子形式:NO LEAD
端子位置:DUALBase Number Matches:1

EBE11ED8AGWA-5C-E 数据手册

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EBE11ED8AGWA  
Logical Clock Net Structure  
6DRAM loads  
DRAM  
R = 200Ω  
DRAM  
DRAM  
DIMM  
R = 200Ω  
connector  
DRAM  
DRAM  
DRAM  
R = 200Ω  
Preliminary Data Sheet E0920E10 (Ver. 1.0)  
9

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