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EBE11ED8AGFA-6E-E

更新时间: 2024-01-18 18:07:37
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尔必达 - ELPIDA 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
页数 文件大小 规格书
23页 203K
描述
1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM (128M words x 72 bits, 2 Ranks)

EBE11ED8AGFA-6E-E 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIMM包装说明:DIMM, DIMM240,40
针数:240Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.36
风险等级:5.84Is Samacsys:N
访问模式:DUAL BANK PAGE BURST最长访问时间:0.45 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):333 MHz
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XDMA-N240
内存密度:9663676416 bit内存集成电路类型:DDR DRAM MODULE
内存宽度:72功能数量:1
端口数量:1端子数量:240
字数:134217728 words字数代码:128000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:组织:128MX72
输出特性:3-STATE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIMM封装等效代码:DIMM240,40
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度):260电源:1.8 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:8192
自我刷新:YES子类别:DRAMs
最大压摆率:3.51 mA最大供电电压 (Vsup):1.9 V
最小供电电压 (Vsup):1.7 V标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:OTHER端子形式:NO LEAD
端子节距:1 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

EBE11ED8AGFA-6E-E 数据手册

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EBE11ED8AGFA  
DM (input pins)  
DM is the reference signal of the data input mask function. DMs are sampled at the cross point of DQS and /DQS.  
VDD (power supply pins)  
1.8V is applied. (VDD is for the internal circuit.)  
VDDSPD (power supply pin)  
1.8V is applied (For serial EEPROM).  
VSS (power supply pin)  
Ground is connected.  
Detailed Operation Part and Timing Waveforms  
Refer to the EDE5104AGSE, EDE5108AGSE datasheet (E0715E).  
Data Sheet E0784E20 (Ver. 2.0)  
20  

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