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Datasheet > 存储 > DRAM> EBE10UE8ACFA-8G-E
EBE10UE8ACFA-8G-E PDF预览

EBE10UE8ACFA-8G-E

更新时间： 2024-01-10 01:02:39
品牌 Logo 应用领域
尔必达 - ELPIDA 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
页数 文件大小 规格书
29页 229K
描述
1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM

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EBE10UE8ACFA-8G-E 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIMM包装说明：DIMM, DIMM240,40
针数：240Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.36
风险等级：5.84Is Samacsys：N
访问模式：SINGLE BANK PAGE BURST最长访问时间：0.4 ns
其他特性：AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK)：400 MHz
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-XDMA-N240
内存密度：8589934592 bit内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度：64功能数量：1
端口数量：1端子数量：240
字数：134217728 words字数代码：128000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：组织：128MX64
输出特性：3-STATE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：DIMM封装等效代码：DIMM240,40
封装形状：RECTANGULAR封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：1.8 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：8192
自我刷新：YES子类别：DRAMs
最大压摆率：2.32 mA最大供电电压 (Vsup)：1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：1.7 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：OTHER端子形式：NO LEAD
端子节距：1 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

EBE10UE8ACFA-8G-E 数据手册

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EBE10UE8ACFA  
Serial PD Matrix  
Byte No. Function described  
Bit7 Bit6 Bit5 Bit4 Bit3 Bit2 Bit1 Bit0 Hex value Comments  
Number of bytes utilized by module  
manufacturer  
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
80H  
08H  
128 bytes  
256 bytes  
Total number of bytes in serial PD  
device  
2
3
4
5
6
7
Memory type  
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
08H  
0EH  
0AH  
60H  
40H  
00H  
DDR2 SDRAM  
Number of row address  
Number of column address  
Number of DIMM ranks  
Module data width  
14  
10  
1
64  
0
Module data width continuation  
Voltage interface level of this  
assembly  
8
9
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
1
1
0
0
1
1
05H  
25H  
SSTL 1.8V  
2.5ns*1  
DDR SDRAM cycle time, CL = X  
-8E (CL = 5)  
-8G (CL = 6)  
-6E (CL = 5)  
0
0
0
0
1
1
0
1
0
0
1
0
0
0
1
0
25H  
30H  
2.5ns*1  
3.0ns*1  
SDRAM access from clock (tAC)  
-8E, -8G  
10  
0
1
0
0
0
0
0
0
40H  
0.4ns*1  
-6E  
0
0
1
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
1
0
0
0
0
0
45H  
00H  
82H  
08H  
00H  
00H  
0.45ns*1  
None  
7.8µs  
× 8  
11  
12  
13  
14  
15  
DIMM configuration type  
Refresh rate/type  
Primary SDRAM width  
Error checking SDRAM width  
Reserved  
None  
0
SDRAM device attributes:  
Burst length supported  
16  
17  
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
0
0
0
0
0
0CH  
08H  
4,8  
8
SDRAM device attributes: Number of  
banks on SDRAM device  
SDRAM device attributes: /CAS  
18  
latency  
0
0
1
1
1
0
0
0
38H  
3, 4, 5  
-8E, -6E  
-8G  
0
0
0
0
1
0
0
0
1
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
1
0
0
70H  
01H  
02H  
00H  
4, 5, 6  
19  
20  
21  
DIMM Mechanical Characteristics  
DIMM type information  
SDRAM module attributes  
4.00mm max.  
Unbuffered  
Normal  
Weak Driver  
50Ω ODT Support  
22  
23  
SDRAM device attributes: General  
0
0
0
0
0
0
1
1
03H  
Minimum clock cycle time at  
CL = X − 1  
-8E, -6E (CL = 4)  
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
0
1
1
0
0
0
1
1
1
1
0
1
1
1
0
0
0
0
1
1
0
0
1
0
1
0
0
0
0
0
0
1
0
0
1
0
1
3DH  
30H  
50H  
45H  
50H  
3DH  
3.75ns*1  
3.0ns*1  
0.5ns*1  
0.45ns*1  
5.0ns*1  
3.75ns*1  
-8G (CL = 5)  
Maximum data access time (tAC)  
from clock at CL = X − 1  
-8E, -6E (CL = 4)  
24  
25  
-8G (CL = 5)  
Minimum clock cycle time at  
CL = X − 2  
-8E, -6E (CL = 3)  
-8G (CL = 4)  
Data Sheet E1058E20 (Ver. 2.0)  
5
12345678...29

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与EBE10UE8ACFA-8G-E相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
EBE10UE8ACWA ELPIDA 1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM

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EBE10UE8ACWA-6E-E ELPIDA 1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM

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