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Datasheet > 存储 > DRAM> EBD21RD4ABNA-7B
EBD21RD4ABNA-7B PDF预览

EBD21RD4ABNA-7B

更新时间： 2024-01-09 09:31:04
品牌 Logo 应用领域
尔必达 - ELPIDA 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
页数 文件大小 规格书
19页 176K
描述
2GB Registered DDR SDRAM DIMM

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EBD21RD4ABNA-7B 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIMM包装说明：DIMM, DIMM184
针数：184Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.36
风险等级：5.92Is Samacsys：N
访问模式：DUAL BANK PAGE BURST最长访问时间：0.75 ns
其他特性：AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK)：133 MHz
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-XDMA-N184
内存密度：19327352832 bit内存集成电路类型：DDR DRAM MODULE
内存宽度：72湿度敏感等级：1
功能数量：1端口数量：1
端子数量：184字数：268435456 words
字数代码：256000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：256MX72输出特性：3-STATE
封装主体材料：UNSPECIFIED封装代码：DIMM
封装等效代码：DIMM184封装形状：RECTANGULAR
封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY峰值回流温度（摄氏度）：225
电源：2.5 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：8192自我刷新：YES
最大待机电流：0.427 A子类别：DRAMs
最大压摆率：7.88 mA最大供电电压 (Vsup)：2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：2.3 V标称供电电压 (Vsup)：2.5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：NO LEAD
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

EBD21RD4ABNA-7B 数据手册

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EBD21RD4ABNA  
Serial PD Matrix*1  
Byte No. Function described  
Bit7 Bit6 Bit5 Bit4 Bit3 Bit2 Bit1 Bit0 Hex value  
Comments  
128  
Number of bytes utilized by module  
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
80H  
08H  
manufacturer  
Total number of bytes in serial PD  
device  
256 byte  
2
3
4
5
6
7
8
Memory type  
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
1
0
0
1
1
1
0
0
0
1
1
0
0
1
0
0
0
1
1
0
0
0
0
0
07H  
0DH  
0CH  
02H  
48H  
00H  
04H  
SDRAM DDR  
Number of row address  
Number of column address  
Number of DIMM banks  
Module data width  
13  
12  
2
72 bits  
0 (+)  
Module data width continuation  
Voltage interface level of this assembly 0  
SSTL 2.5V  
DDR SDRAM cycle time, CL = X  
-7A, -7B  
9
0
1
0
1
1
1
1
1
0
1
0
0
0
1
0
1
0
0
0
1
0
1
75H  
A0H  
75H  
CL = 2.5*3  
-10  
1
0
SDRAM access from clock (tAC)  
-7A, -7B  
10  
0.75ns*3  
-10  
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
80H  
02H  
0.8ns*3  
ECC  
11  
12  
DIMM configuration type  
7.8 µs  
Self refresh  
Refresh rate/type  
1
0
0
0
0
0
1
0
82H  
13  
14  
Primary SDRAM width  
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0
0
04H  
04H  
× 4  
× 4  
Error checking SDRAM width  
SDRAM device attributes:  
Minimum clock delay back-to-back  
column access  
15  
0
0
0
0
0
0
0
1
01H  
1 CLK  
SDRAM device attributes:  
Burst length supported  
16  
17  
18  
19  
20  
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
1
0
0
1
1
1
0
0
1
0
0
0
1
0
0
0
1
0
0EH  
04H  
0CH  
01H  
02H  
2, 4, 8  
SDRAM device attributes: Number of  
banks on SDRAM device  
4
SDRAM device attributes:  
/CAS latency  
2, 2.5  
SDRAM device attributes:  
/CS latency  
SDRAM device attributes:  
/WE latency  
0
1
21  
22  
SDRAM module attributes  
0
1
0
1
1
0
0
0
0
0
1
0
1
0
0
0
26H  
C0H  
Registered  
0.2V  
SDRAM device attributes: General  
Minimum clock cycle time at CLX - 0.5  
-7A  
23  
0
1
1
0
1
1
1
0
0
0
1
0
0
0
1
0
75H  
A0H  
CL = 2*3  
-7B, -10  
Maximum data access time (tAC) from  
clock at CLX - 0.5  
-7A, -7B  
24  
0
1
1
1
0
1
0
1
75H  
0.75ns*3  
0.8ns*3  
-10  
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
80H  
00H  
25  
26  
27  
28  
29  
Minimum clock cycle time at CLX - 1  
Maximum data access time (tAC) from  
clock at CLX - 1  
0
0
0
0
0
1
0
1
0
0
1
0
0
1
1
1
0
0
1
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
00H  
50H  
3CH  
50H  
Minimum row precharge time (tRP)  
20ns  
15ns  
20ns  
Minimum row active to row active  
delay (tRRD)  
Minimum /RAS to /CAS delay (tRCD)  
Preliminary Data Sheet E0273E20 (Ver. 2.0)  
5
12345678...19

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与EBD21RD4ABNA-7B相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
EBD21RD4ADNA ELPIDA 2GB Registered DDR SDRAM DIMM (256M words X72 bits, 2 Ranks)

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EBD21RD4ADNA-6B ELPIDA 2GB Registered DDR SDRAM DIMM (256M words X72 bits, 2 Ranks)

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EBD21RD4ADNA-6B-E ELPIDA 2GB Registered DDR SDRAM DIMM (256M words X72 bits, 2 Ranks)

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