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EB13003M

更新时间： 2024-02-11 09:20:47

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JBCAPACITORS		/
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描述
TO-220 1.8mil transistors

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EB13003M 数据手册

EB13003M

● 特点

FE A TU R E S

耐高开关速度快

▲HIGH VOLTA GE CAPABILTY ▲HIGH SPEED SW ITCHING

安全工作区

符合RoHS 范 ▲W IDE SOA ▲RoHS COM PL

● 用

A P P LIC A TIO N

能灯、子流器

▲FLUORESCENT LAM P ▲ELECTRONIC TRANSFORM ER

▲ELECTONIC TRANSFORM ER ▲SW ICH M ODE POW ER SUPPLY

子

器、开关源

● 最大定 Absolute Maximum Ratings (Tc=25℃)

符号

位

UNI T

参数

PARAMETER

定

VALUE

SYMBO

集极-基极

集极- 射极

射极-基极

Collector–Base Voltage

VCBO

V_CEO

V_EBO

700

400

Collector–Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

集极流 Collector Current

集极耗散功率 Total Power Dissipation

@TC=25℃

P_DTOT

150

℃

最高工作温度

Junction Temperature

T_STG

-55-150

存温度 Storage Temperature

● 特性 Electronic Characteristics (Tc=25℃)

参数名称

CHARACTERISTICS

符号

SYMBOL

条件

TEST CONDITION

最小

MIN

最大

MAX UNI T

位

集极-基极截至流

Collector–Base Cutoff Current

集极- 射极截至流

Collector-Emitter Cutoff Current

射极-基极截至流

Emitter- Base Cutoff Current

集极-基极打

Collector- Base Voltage

集极- 射极

Collector–Emitter Voltage

射极-基极

ICBO

I_CEO

VCB=700V IE=0

100

μA

V_CE=400V I =0

I_EBO

V_EB=9V，I_C=0

I_C=1mA，I_B=0

I_C=10mA，I_E=0

I_C=1mA，I_C=0

BVCBO

BV_CEO

BV_EBO

700

400

Emitter-Base Voltage.

IC=0.5A Ib=0.1A

IC=1.5A Ib=0.5A

IC=0.5A Ib=0.1A

0.4

0.6

1.2

集极- 射极和

Collector–Emitter Saturation Voltage

Vcesat

Vbesat

基极- 射极和

Base–Emitter Saturation Voltage

IC=0.5A VCE=5V

HFE

流放大倍数 DC Current Gain

IC=1mA VCE=5V

IC=0.25A（UI9600）

2.0

4.0

存

Storage Time

Jet.li Mobile:+86-13537087568 E-mail:dgjifu@qq.com

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