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E0C60L03D

更新时间： 2024-01-30 07:01:17
品牌 Logo 应用领域
精工 - SEIKO 时钟外围集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 64K
描述
4-BIT, MROM, 0.08MHz, MICROCONTROLLER, UUC36, DIE-36

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E0C60L03D 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DIE
包装说明：DIE,针数：36
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8542.31.00.01
风险等级：5.84具有ADC：NO
其他特性：REQUIRES A NEGATIVE SUPPLY OF -1.5V地址总线宽度：
位大小：4最大时钟频率：0.08 MHz
DAC 通道：NODMA 通道：NO
外部数据总线宽度：JESD-30 代码：R-XUUC-N36
I/O 线路数量：8端子数量：36
最高工作温度：70 °C最低工作温度：-20 °C
PWM 通道：NO封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：DIE封装形状：RECTANGULAR
封装形式：UNCASED CHIP认证状态：Not Qualified
ROM可编程性：MROM速度：0.08 MHz
最大供电电压：2 V最小供电电压：1.2 V
标称供电电压：1.5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：NO LEAD端子位置：UPPER
uPs/uCs/外围集成电路类型：MICROCONTROLLERBase Number Matches：1

E0C60L03D 数据手册

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E0C6003  
● Oscillation Characteristics  
Oscillation characteristics will vary according to different conditions (elements used, boad pattern). Use the following char-  
acteristics are as reference values.  
E0C6003 Crystal Oscillation  
(Unless otherwise specified: VDD=0V, VSS=-3.0V, fOSC=32.768kHz, Crystal: C-002R (C  
I
=35kΩ), C  
G
=25pF, CD=built-in, Ta=25°C)  
Characteristic  
Oscillation start voltage  
Oscillation stop voltage  
Built-in capacitance (drain)  
Symbol  
Vsta  
Vstp  
Condition  
Min.  
-1.8  
-1.8  
Typ.  
Max.  
Unit  
V
V
t
t
sta≤5sec (VSS  
stp≤10sec (VSS  
)
)
CD  
Including the parasitic capacitance inside the IC  
(in chip)  
20  
pF  
Frequency/voltage deviation  
Frequency/IC deviation  
Frequency adjustment range  
Harmonic oscillation start voltage  
Permitted leak resistance  
∂f/∂V  
∂f/∂IC  
∂f/∂C  
V
SS=-1.8 to -3.6V  
5
10  
ppm  
ppm  
ppm  
V
-10  
40  
G
C
C
G
G
=5 to 25pF  
=5pF (VSS  
V
hho  
)
-3.6  
Rleak  
Between OSC1 and VDD  
200  
MΩ  
E0C60L03 Crystal Oscillation  
(Unless otherwise specified: VDD=0V, VSS=-1.5V, fOSC=32.768kHz, Crystal: C-002R (C  
I
=35kΩ), C  
G
=25pF, CD=built-in, Ta=25°C)  
Characteristic  
Oscillation start voltage  
Oscillation stop voltage  
Built-in capacitance (drain)  
Symbol  
Vsta  
Vstp  
Condition  
Min.  
-1.2  
-1.2  
Typ.  
Max.  
Unit  
V
V
t
t
sta≤5sec (VSS  
stp≤10sec (VSS  
)
)
CD  
Including the parasitic capacitance inside the IC  
(in chip)  
20  
pF  
Frequency/voltage deviation  
Frequency/IC deviation  
Frequency adjustment range  
Harmonic oscillation start voltage  
Permitted leak resistance  
∂f/∂V  
∂f/∂IC  
∂f/∂C  
V
SS=-1.2 to -2.0V  
5
10  
ppm  
ppm  
ppm  
V
-10  
40  
G
C
C
G
G
=5 to 25pF  
=5pF (VSS  
V
hho  
)
-2.0  
Rleak  
Between OSC1 and VDD  
200  
MΩ  
E0C6003 CR Oscillation  
(Unless otherwise specified: VDD=0V, VSS=-3.0V, RCR=470kΩ, Ta=25°C)  
Characteristic  
Oscillation frequency dispersion  
Oscillation start voltage  
Oscillation start time  
Symbol  
Condition  
Min.  
-20  
-1.8  
Typ.  
65kHz  
Max.  
20  
Unit  
%
V
mS  
V
fOSC  
Vsta (VSS  
sta SS=-1.8 to -3.6V  
Vstp (VSS  
)
t
V
3
Oscillation stop voltage  
)
-1.8  
E0C60L03 CR Oscillation  
(Unless otherwise specified: VDD=0V, VSS=-1.5V, RCR=470kΩ, Ta=25°C)  
Characteristic  
Oscillation frequency dispersion  
Oscillation start voltage  
Oscillation start time  
Symbol  
Condition  
Min.  
-20  
-1.2  
Typ.  
65kHz  
Max.  
20  
Unit  
%
V
mS  
V
f
OSC  
Vsta (VSS  
sta  
Vstp (VSS  
)
t
V
SS=-1.2 to -2.0V  
3
Oscillation stop voltage  
)
-1.2  
7
1...45678

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