E-L6210

更新时间： 2024-01-18 12:42:47

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		整流二极管肖特基二极管桥式整流二极管光电二极管
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描述
Dual Schottky diode bridge

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E-L6210 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	R-PDIP-T16
针数：	16	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.79	Is Samacsys：	N
最小击穿电压：	50 V	配置：	2 BANKS, BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.8 V	JESD-30 代码：	R-PDIP-T16
JESD-609代码：	e4	湿度敏感等级：	1
元件数量：	8	相数：	1
端子数量：	16	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		最大输出电流：	2 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	225
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	50 V
子类别：	Other Diodes	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

E-L6210 数据手册

Electrical specifications

L6210

Electrical specifications

2.1

Absolute maximum ratings

Table 2.

Symbol

Absolute maximum ratings

Parameter

Value

Unit

I_F

Repetitive Forward Current Peak

Peak Reverse Voltage (per diode)

Operating Ambient Temperature

Storage Temperature Range

V_R

T_AMB

T_STG

°C

–55 to +150

2.2

2.3

Thermal data

Table 3.

Symbol

R_{TH J-CASE}

Thermal data

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Unit

Thermal Impedance Junction-case

°C/W

Thermal Impedance Junction-ambient without

External Heatsink

R_{TH J-AMB}

°C/W

Electrical characteristics

Table 4.

Electrical characteristics

(T = 25°C unless otherwise specified)

Symbol

Parameter

Test conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

I_F= 100 mA

I_F= 500 mA

0.65

0.8

V_F

Forward Voltage Drop

Leakage Current

I_F= 1 A

1.2

I_L

V_R= 40 V, T_AMB= 25 °C

Note:

At forward currents of greater than 1 A, a parasitic current of approximately 10 mA may be

collected by adiacent diodes.

4/8

1 2 345 6 7 8

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