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DTD120

更新时间： 2024-01-31 13:36:03

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DYNEX		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	132K
描述
Power Bipolar Transistor, 120A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-3

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技术参数
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DTD120 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	DISK BUTTON, O-XXDB-X3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.77	最大集电极电流 (IC)：	120 A
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	150
JESD-30 代码：	O-XXDB-X3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UNSPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

DTD120 数据手册

DTD/TFD120/200

Superswitch Powerline NPN Darlington Transistor

Replaces November 1999 version, DS5265-2.0

DS5265-3.0 September 2000

APPLICATIONS

KEY PARAMETERS

V_CEO(SUS)

V_CEX

I_C(CONT)

I_C(PK)

450V

600V

120/200A

200/300A

2.0µs

■ High frequency inverters

■ Power supplies

■ Aircraft power supplies

■ Motor controls

t_f

FEATURES

■ Monolithic darlington

■ Triple diffused

■ High power capability

■ Thermal fatigue free compression bonded structure

■ Fast switching, speed up diode

■ Hermetic high mount down packing density and

convenient bolt down packages

Package outline

type code: E

Package outline

type code: TFD

See Package Details for information.

Fig.2 Package outlines

Fig.1 Darlington circuit configuration

RATINGS

Symbol

V_CEX

Parameter

Test Conditions

DTD/TFD120

DTD/TFD200

Units

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Continuous collector current

Continuous base current

Peak collector current

Power dissipation

600

V_EBO

I_C(CONT)

I_B(CONT)

I_C(PK)

120

200

1.5

300

1.5

P_tot

T_case= 25^oC

1/10

www.dynexsemi.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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