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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> DTC143TUA
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DTC143TUA

更新时间： 2024-09-27 06:54:51
品牌 Logo 应用领域
RECTRON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 360K
描述
SOT-323 DIGITAL TRANSISTOR TRANSISTORS(NPN)

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DTC143TUA 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.06
其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR最大集电极电流 (IC)：0.1 A
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：265极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHzBase Number Matches：1

DTC143TUA 数据手册

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DTC143TUA  
SOT-323 DIGITAL TRANSISTOR  
TRANSISTORS(NPN)  
FEATURES  
Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter  
circuit without connecting external input resistors.(see equi-  
valent circuit).  
*
The bias resistors consist of thin-film resistors with co-  
mplete isolation to allow negative biasing of the input.  
They also have the advantage of almost completely eli-  
minating parasitic effects.  
*
SOT-323  
Only the on/off conditions need to be set for operation mark-  
ing device design easy.  
*
0.053(1.35)  
0.045(1.15)  
MECHANICAL DATA  
* Case: Molded plastic  
0.006(0.15)  
0.003(0.08)  
* Epoxy: UL 94V-O rate flame retardant  
* Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed  
* Mounting position: Any  
0.043(1.10)  
0.035(0.90)  
0.004(0.10)  
0.000(0.00)  
REF 0.021(0.53)  
* Weight: 0.006 gram  
0.096(2.45)  
0.085(2.15)  
0.016(0.40)  
0.008(0.20)  
1
2
0.055(1.40)  
0.047(1.20)  
0.087(2.20)  
0.079(2.00)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
3
Ratings at 25OC ambient temperature unless otherwise specified.  
(2)  
(1)  
(1) Base  
(2) Emitter  
(3) Collector  
Dimensions in inches and (millimeters)  
(3)  
MAXIMUM RATINGES ( @ TA = 25oC unless otherwise noted )  
RATINGS  
SYMBOL  
VALUE  
50  
UNITS  
V
V
V
Collector-base voltage  
(BR)CBO  
Collector-emitter voltage  
50  
V
(BR)CEO  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
5
V
(BR)EBO  
I
100  
200  
mA  
mW  
C
P
C
Collector power dissipation  
Junction temperature  
oC  
oC  
Tj  
150  
-55~150  
Storage temperature  
T
stg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( @ TA = 25oC unless otherwise noted )  
CHARACTERISTICS SYMBOL  
MIN.  
50  
TYP.  
-
MAX.  
-
UNITS  
V
Collector-base breakdown voltage (I = 50µA)  
V
V
C
(BR)CBO  
Collector-emitter breakdown voltage (I = 1mA)  
C
50  
5
-
-
-
-
V
V
(BR)CEO  
Emitter-base breakdown voltage (I = 50µA)  
V
(BR)EBO  
E
Collector cut-off current (V = 50V)  
CB  
I
-
-
-
0.5  
0.5  
µA  
µA  
CBO  
Emitter cut-off current (V = 4V)  
EB  
I
-
-
EBO  
h
Collector-emitter saturation voltage (I = 5mA,I = 0.25mA)  
-
0.3  
V
-
FE  
C
B
V
DC current gain (V = 5V,I = 1mA)  
100  
-
600  
CE(sat)  
CE  
C
Input resistor  
Transition frequency (V = 10V, I = 5mA, f=100MHz)  
R1  
KΩ  
3.29  
-
4.7  
6.11  
-
f
250  
O
O
T
MHz  
NOTE: "Fully ROHS compliant", "100% Sn plating (Pb-free)".  
2006-3  
123

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