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DTC114YG-AL3-R

更新时间： 2024-01-26 07:22:03

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描述
NPN DIGITAL TRANSISTOR

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DTC114YG-AL3-R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.57	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
最大集电极电流 (IC)：	0.07 A	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	68	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	250 MHz	Base Number Matches：	1

DTC114YG-AL3-R 数据手册

DTC114Y

NPN SILICON TRANSISTOR

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_A=25°C)

PARAMETER

SYMBOL

V_CC

RATINGS

UNIT

Supply Voltage

Input Voltage

V_IN

-6 ~ +40

I_OUT

Output Current

I_O(MAX.)

100

SOT-23/SOT-323

200

SOT-523

TO-92

150

Power Dissipation

P_D

625

TO-92SP

550

Junction Temperature

Storage Temperature

T_J

+150

-55 ~ +150

°C

T_STG

Note: Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.

Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.

ELECTRICAL SPECIFICATIONS (T_A=25°C, unless others specified)

PARAMETER SYMBOL TEST CONDITIONS

MIN

1.4

TYP MAX UNIT

V_IN(OFF)V_CC=5V, I_OUT=100μA

V_IN(ON)V_OUT=0.3V, I_OUT=1mA

V_OUT(ON)I_OUT/I_IN=5mA/0.25mA

0.3

Input Voltage

Output Voltage

Input Current

0.1

0.3

0.88

0.5

I_IN

V_IN=5V

μA

Output Current

DC Current Gain

Input Resistance

I_OUT(OFF)V_CC=50V, V_IN=0V

h_FE

R₁

R²

V_OUT=5V, I_OUT=5mA

4.7

250

KΩ

Resistor Ratio

3.7

5.7

Transition Frequency

f_T

V_CE=10V, I_E=−5mA, f=100MHz

MHz

Note: Transition frequency of the device

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

2 of 3

QW-R223-003,D

www.unisonic.com.tw

123

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