DTC114YET1

更新时间： 2024-02-03 03:21:04

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安森美 - ONSEMI		晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
12页	191K
描述
NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORS

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DTC114YET1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-75
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.03	Is Samacsys：	N
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.21	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	80	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e0	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	240
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	BIP General Purpose Small Signals
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

DTC114YET1 数据手册

DTC114EET1 SERIES

TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS — DTC114YET1

0.1

300

T =75°C

= 10

I /I = 10

C B

T = –25°C

250

200

150

100

25°C

75°C

–25°C

0.01

0.001

10 15 20 40 50 60 70 80 90 100

I , COLLECTOR CURRENT (mA)

Figure 18. V_CE(sat)versus I_C

Figure 19. DC Current Gain

3.5

100

f = 1 MHz

T =75°C

25°C

l = 0 V

T = 25°C

–25°C

2.5

1.5

0.5

V = 5 V

10 15 20 25 30 35 40 45 50

V , REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)

V , INPUT VOLTAGE (VOLTS)

Figure 20. Output Capacitance

Figure 21. Output Current versus Input Voltage

V = 0.2 V

T = –25°C

25°C

75°C

0.1

I , COLLECTOR CURRENT (mA)

Figure 22. Input Voltage versus Output Current

http://onsemi.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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DTC114YETL	ROHM	NPN 100mA 50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)	获取价格
DTC114YE-TP	MCC	NPN Digital Transistors	获取价格
DTC114YETR	ROHM	Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon	获取价格
DTC114YF	ROHM	DTA/DTC SERIES	获取价格
DTC114YFA	ETC	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 70MA I(C) \| SC-71	获取价格