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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SC-75 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.03 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.21 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e0 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | BIP General Purpose Small Signals |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| DTC114Y | ONSEMI |
类似代替  |
NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR |
|
| DTC114YET1G | ONSEMI |
类似代替 |
Bias Resistor Transistor |
|
| SDTC114YET1G | ONSEMI |
功能相似 |
Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 47 k |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DTC114YET1G | ONSEMI |
获取价格 |
Bias Resistor Transistor |
|
| DTC114YETL | ROHM |
获取价格 |
NPN 100mA 50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) |
|
| DTC114YE-TP | MCC |
获取价格 |
NPN Digital Transistors |
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| DTC114YETR | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
|
| DTC114YF | ROHM |
获取价格 |
DTA/DTC SERIES |
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| DTC114YFA | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 70MA I(C) | SC-71 |
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| DTC114YFAC1 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, FTR, 3 |
|
| DTC114YG-AE3-R | UTC |
获取价格 |
NPN DIGITAL TRANSISTOR |
|
| DTC114YG-AL3-R | UTC |
获取价格 |
NPN DIGITAL TRANSISTOR |
|
| DTC114YG-AN3-R | UTC |
获取价格 |
NPN DIGITAL TRANSISTOR |
|
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