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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> DTC014YEB
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DTC014YEB

更新时间： 2024-01-01 03:23:49
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体电阻器数字晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 288K
描述
100mA/50V Digital transistors(with built-in resistors)

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DTC014YEB 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：13 weeks
风险等级：1.66Is Samacsys：N
其他特性：BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 4.7最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：80JESD-30 代码：R-PDSO-F3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHzBase Number Matches：1

DTC014YEB 数据手册

 浏览型号DTC014YEB的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DTC014YEB的Datasheet PDF文件第3页 
100mA/50V Digital transistors(with built-in resistors)  
DTC014YM / DTC014YEB / DTC014YUB  
Features  
Dimensions (Unit : mm)  
1) Built-in bias resistors enable the configuration of  
an inverter circuit without connecting external input resistors.  
(See equivalent circuit)  
VMT3  
2) The bias resistors consist of thin-film resistors with complete  
isolation to allow negative biasing of the input.  
They also have the advantage of almost completely  
eliminating parasitic effects.  
Abbreviated symbol : 44  
EMT3F  
3) Only the on/off conditions need to be set for operation,  
making the device design easy.  
(3)  
(1)  
(2)  
Structure  
NPN epitaxial planar silicon transistor  
(Resistor built-in type)  
Abbreviated symbol : 44  
2.0  
UMT3F  
0.9  
0.32  
(3)  
Applications  
Inverter, Interface, Driver  
(1)  
(2)  
0.13  
0.65 0.65  
1.3  
Abbreviated symbol : 44  
Packaging specifications and hFE  
Equivalent circuit  
Package  
VMT3  
Taping  
T2L  
EMT3F  
Taping  
TL  
UMT3F  
Taping  
TL  
OUT  
GND  
R
1
Packaging Type  
Code  
IN  
Type  
R
2
Basic ordering  
unit (pieces)  
8000  
3000  
3000  
IN  
OUT  
DTC014YM  
DTC014YEB  
DTC014YUB  
-
○
-
-
-
○
-
GND  
-
○
R1=10k,R2=47k  
Absolute maximum (Ta=25C)  
Limits(DTC014Y□)  
Parameter  
Symbol  
VCC  
Unit  
M
EB  
50  
40  
-6  
UB  
Supply voltage  
Input voltage  
V
V
VIN  
V
IC(max)  
IO  
Collector current *1  
100  
70  
mA  
mA  
mW  
C  
C  
Output current  
PD  
Power dissipation *2  
150  
200  
Junction temperature  
Tj  
150  
Range of storage temperature  
*1ꢀCharacteristics of built-in transistor  
*2 Each terminal mounted on a reference land  
Tstg  
-55 to +150  
www.rohm.com  
©2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
2011.08 - Rev.A  
1/2  
123

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与DTC014YEB相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DTC014YM ROHM

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 		100mA/50V Digital transistors(with built-in resistors)
DTC014YUB ROHM

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 		100mA/50V Digital transistors(with built-in resistors)
DTC014YUBTL ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS CO
DTC015E ROHM

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