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DTB133HKT146

更新时间： 2024-09-24 21:18:03
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 51K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SC-59, 3 PIN

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DTB133HKT146 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：SC-59
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.75
其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 3.0最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：56JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e1湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHzVCEsat-Max：0.3 V
Base Number Matches：1

DTB133HKT146 数据手册

  
DTB133HK / DTB133HS  
Transistors  
Digital transistors (built-in resistors)  
DTB133HK / DTB133HS  
!Features  
!External dimensions (Units : mm)  
1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter  
circuit without connecting external input resistors.  
2) The bias resistors consist of thin-film resistors with complete  
isolation to allow positive biasing of the input, and parasitic  
effects are almost completely eliminated.  
DTB133HK  
1.6  
2.8  
3) Only the on/off conditions need to be set for operation, making  
device design easy.  
0.3to0.6  
4) Higher mounting densities can be achieved.  
Each lead has same dimensions  
ROHM : SMT3  
EIAJ : SC-59  
(1) Emitter(Source)  
(2) Base(Gate)  
(3) Collector(Drain)  
!Absolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
DTB133HS  
Parameter  
Supply voltage  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
4
2
V
CC  
−50  
−20  
V
Input voltage  
V
I
6
−500  
200  
Output current  
I
C
mA  
mW  
0.45  
DTB133HK  
DTB133HS  
Power  
dissipation  
Pd  
300  
0.45  
2.5 0.5  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
°C  
°C  
5
2
Tstg  
−55~150  
( )  
1
(
)
(
)
3
Taping specifications  
(1) Emitter  
(2) Collector  
(3) Base  
ROHM : SPT  
EIAJ : SC-72  
!Package, marking, and packaging specifications  
!Circuit schematic  
Part No.  
Package  
DTB133HK  
SMT3  
G98  
DTB133HS  
R
1
OUT  
IN  
SPT  
-
R
2
Marking  
GND (+)  
OUT  
Packaging code  
Basic ordering unit (pieces)  
T146  
TP  
3000  
5000  
IN  
GND (+)  
!Electrical characteristics (Ta = 25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
V
Conditions  
= −100µA  
V
I(off)  
I(on)  
-
−2  
-
-
−0.3  
-
V
V
CC = −5V , I  
O
Input voltage  
V
-
−0.1  
-
O
= −0.3V , I  
O
= −20mA  
= −2.5mA  
V
O(on)  
−0.3  
−2.4  
−0.5  
-
V
mA  
µA  
-
I
O
= −50mA , I  
= −5V  
I
Output voltage  
Input current  
I
I
-
V
I
I
O(off)  
-
-
V
CC = −50V , VI = 0V  
Output current  
DC current gain  
Input resistance  
Resistance ratio  
Transition frequency  
G
I
56  
2.31  
2.4  
-
-
I
O
= −50mA , V  
O
= −5V  
R1  
3.3  
3
4.29  
3.7  
-
kΩ  
-
-
R2/R1  
-
f
T
200  
MHz  
V
CE = −10V , I  
E
= 5mA , f = 100MHz  
∗
Transition frequency of the device.  
∗
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DTB133HKT246 ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23,
DTB133HL ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, PNP, Silicon
DTB133HLTL2 ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, FTL, 3
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获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, FTL, 3
DTB133HS ROHM

获取价格

 		Digital transistors (built-in resistors)
DTB133HSTP ROHM

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 		暂无描述
DTB133HV ETC

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DTB133HVTV2 ROHM

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DTB143E UTC

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 		PNP DIGITAL TRANSISTOR (BUILT-IN RESISTORS)

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