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DTA114YUA-TP-HF

更新时间： 2024-01-31 11:15:39

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	257K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

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DTA114YUA-TP-HF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.57
其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	68	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
Base Number Matches：	1

DTA114YUA-TP-HF 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

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Micro Commercial Components

DTA114YUA

Features

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

PNP Digital Transistor

xꢀ Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit

without connecting external input resistors (see equivalent circuit)

xꢀ The bias resistors consist of thin-film resistors with complete

isolation to allow negative biasing of the input. They also have the

advantage of almost completely eliminating parasitic effects

xꢀ Only the on/off conditions need to be set for operation, making

device design easy

SOT-323

Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"

1: Base

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Collector-Base Voltage

2: Emitter

3: Collector

Symbol

V_CBO

Value

-50

Unit

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base voltage

V_CEO

V_EBO

I_C

-50

-5

Collector Current-Continuous

-100

Collector Dissipation

P_C

200

Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

T_J

-55~150

T_STG

DIMENSIONS

Electrical Characteristics

INCHES

MAX

DIM

MIN

.071

.045

.083

MIN

1.80

1.15

2.10

MAX

2.20

1.35

2.45

NOTE

Sym

Parameter

Collector-Base Breakdown Voltage

(I_C=-50uA, I_E=0)

Min

Typ

Max

Unit

.087

.053

.096

V_(BR)CBO

-50

---

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I_C=-1mA, I_B=0)

.026 Nominal

0.65Nominal

1.20

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

-50

-5

---

.047

.012

.000

.035

.004

.006

.055

.016

.004

.039

.010

.016

1.40

.40

.100

1.00

.250

.40

.30

.000

.90

.100

.15

Emitter-Base Breakdown Voltage

(I_E=-50uA, I_C=0)

Collector Cut-off Current

(V_CB=-50V, I_E=0)

---

-0.5

---

Emitter Cut-off Current

(V_EB=-4V, I_C=0)

Suggested Solder

Pad Layout

I_EBO

---

DC Current Gain

(V_CE=-5V, I_C=-1mA)

h_FE

0.70

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I_C=-10mA, I_B=-1mA)

V_CE(sat)

R₁

---

-0.3

0.90

K¡

Input Resistor

Resistance ratio

3.7

4.7

5.7

1.90

Transition Frequency

(V_CE=-10V, I_C=-5mA, f=100MHz)

f_T

---

250

---

MHz

*Marking: 94

0.65

www.mccsemi.com

1 of 3

Revision: C

2013/09/24

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
DTA114YUB	ROHM	-100mA / -50V Digital transistors	获取价格
DTA114YUBHZGTL	ROHM	Small Signal Bipolar Transistor,	获取价格
DTA114YUS3	ETC	Mini size of Discrete semiconductor elements	获取价格
DTA114YV	ETC	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SIP	获取价格
DTA114YVA	ETC	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 70MA I(C) \| SIP	获取价格
DTA114YVATV2	ROHM	Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ATV, 3	获取价格

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