DTA114YUB

更新时间： 2024-01-31 07:37:33

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罗姆 - ROHM		晶体数字晶体管
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3页	96K
描述
-100mA / -50V Digital transistors

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DTA114YUB 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.57
Is Samacsys：	N	其他特性：	DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
最大集电极电流 (IC)：	0.07 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	68
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

DTA114YUB 数据手册

Transistors

! ! ! ! ! ! ! ! DTA114YUB

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-100mA / -50V Digital transistors

(with built-in resistors)

DTA114YUB

zApplications

zDimensions (Unit : mm)

Inverter, Interface, Driver

UMT3F

2.0

0.9

zFeatures

0.32

(3)

1) Built-in bias resistors enable the configuration of

an inverter circuit without connecting external

input resistors (see equivalent circuit).

2) The bias resistors consist of thin-film resistors

with complete isolation to allow negative biasing

of the input. They also have the advantage of

almost completely eliminating parasitic effects.

3) Only the on/off conditions need to be set for

operation, making the device design easy.

(1)

0.65 0.65

1.3

(2)

0.13

Each lead has same dimensions

(1) IN

(2) GND

(3) OUT

Abbreviated symbol : 54

zStructure

zEquivalent circuit

PNP silicon epitaxial planar transistor type

(Resistor built-in)

OUT

zPackaging specifications

GND(+)

Package

UMT3F

Taping

Packaging type

Code

OUT

GND(+)

Part No.

Basic ordering unit (pieces)

3000

DTA114YUB

=10kΩ, R =47kΩ

zAbsolute maximum ratings (Ta=25qC)

Parameter

Symbol

Limits

Unit

Supply voltage

C(max.)

−50

−40 to +6

−100

Input voltage

∗1

Collector current

°C

Output current

−70

∗2

Power dissipation

Junction temperature

Range of storage temperature

200

Tstg

150

−55 to +150

°C

∗1 Characteristics of built-in transistor

∗2 Each terminal mounted on a recommended land

1/2

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