DTA114EET1G

更新时间： 2024-01-07 08:07:49

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安森美 - ONSEMI		晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
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13页	108K
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Bias Resistor Transistors

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DTA114EET1G 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	SC-75	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	8 weeks
风险等级：	0.97	Is Samacsys：	N
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	35	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

DTA114EET1G 数据手册

DTA114EET1 Series

TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS − DTA123EET1

1000

= 10 V

I /I = 10

C B

75°C

100

0.1

−25°C

75°C

25°C

0.01

T = −25°C

0.001

100

I , COLLECTOR CURRENT (mA)

Figure 8. V_CE(sat)versus I_C

Figure 9. DC Current Gain

100

f = 1 MHz

l = 0 V

75°C

T = 25°C

25°C

T = −25°C

0.1

0.01

= 5 V

0.001

10 15 20 25 30 35 40 45 50

V , REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)

V , INPUT VOLTAGE (VOLTS)

Figure 10. Output Capacitance

Figure 11. Output Current versus Input Voltage

T = −25°C

75°C

25°C

= 0.2 V

0.1

I , COLLECTOR CURRENT (mA)

Figure 12. Input Voltage versus Output Current

http://onsemi.com

1...4 5 678 9 10...13

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DTA114EET1G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
DTA114EETL	ROHM	功能相似	PNP -100mA -50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)

与DTA114EET1G相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
DTA114EETL	ROHM	PNP -100mA -50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)	获取价格
DTA114EE-TL	ROHM	暂无描述	获取价格
DTA114EF	ROHM	DTA/DTC SERIES	获取价格
DTA114EFA	ETC	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| SC-71	获取价格
DTA114EFAC1	ROHM	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, FTR, 3	获取价格
DTA114EG-AE3-R	UTC	DIGITAL TRANSISTOR	获取价格