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DT200F08KEM

更新时间： 2025-08-08 09:39:11

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网栅栅极
页数	文件大小	规格书
7页	248K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 410A I(T)RMS, 200000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, MODULE-5

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DT200F08KEM 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	MODULE-5
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.61	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最大直流栅极触发电流：	250 mA
快速连接描述：	G-GR	螺丝端子的描述：	A-K-AK
JESD-30 代码：	R-XUFM-X5	通态非重复峰值电流：	6400 A
元件数量：	1	端子数量：	5
最大通态电流：	200000 A	最高工作温度：	125 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	最大均方根通态电流：	410 A
断态重复峰值电压：	800 V	重复峰值反向电压：	800 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

DT200F08KEM 数据手册

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European Power-

Semiconductor and

Electronics Company

Marketing Information

TT 200 F

28,5

35

5

6

115

80

9

18

18

M8

92

AK

K

A

K1 G1

K2 G2

VWK Okt. 1996

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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DT200F08KFB-K	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 200000mA I(T), 800V V(RRM)
DT200F08KFC	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 410A I(T)RMS, 200000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Ele
DT200F08KFC-K	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 410A I(T)RMS, 200000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Ele
DT200F08KFM	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 410A I(T)RMS, 200000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Ele
DT200F08KFM-A	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 410A I(T)RMS, 200000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Ele
DT200F08KSC	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 410A I(T)RMS, 200000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Ele
DT200F08KSC-K	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 410A I(T)RMS, 200000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Ele
DT200F10KEL	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 410A I(T)RMS, 200000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 E

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