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DT106N16KOF

更新时间： 2024-01-18 10:41:15

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英飞凌 - INFINEON		局域网栅栅极
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描述
Silicon Controlled Rectifier, 180A I(T)RMS, 106000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element, MODULE-5

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数据手册

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DT106N16KOF 数据手册

Datenblatt / Data Sheet

Netz-Thyristor-Modul

TT106N

Phase Control Thyristor Module

TT106N

TD106N

DT106N

TD106N..K..-A

TD106N..K..-K

Kenndaten

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Elektrische Eigenschaften

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T_vj= -40°C... T_{vj max}

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

1200

1600

1400 V

1800 V

V_DRM,V_RRM

1200

1600

1400 V

1800 V

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak forward off-state voltage

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DSM

1300

1700

1500 V

1900 V

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_RSM

180 A

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

I_TRMSM

I_TAVM

106 A

115 A

T_C= 85°C

T_C= 78°C

2250 A

2000 A

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I_TSM

25300 A²s

20000 A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 747-6 f = 50 Hz,

150 A/µs

Kritische Stromsteilheit

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

_GM= 0,6A, di_G/dt = 0,6A/µs

critical rate of rise of on-state current

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

6.Kennbuchstabe / 6^thletter F

1000 V/µs

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

max.

1,78 V

0,9 V

T_vj= T_{vj max}, i_T= 300 A

T_vj= T_{vj max}

v_T

on-state voltage

Schleusenspannung

threshold voltage

Ersatzwiderstand

slope resistance

Zündstrom

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

V_(TO)

r_T

2,6 mΩ

150 mA

1,4 V

T_vj= T_{vj max}

max.

T_vj= 25°C, v_D= 6 V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

max.

T_vj= T_{vj max}, v_D= 6 V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

5,0 mA

2,5 mA

0,2 V

max.

Haltestrom

holding current

Einraststrom

latching current

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_A= 5 Ω

200 mA

620 mA

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_GK≥ 10 Ω

I_L

i_GM= 0,6A, di_G/dt = 0,6A/µs,

t_g= 20 µs

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

Zündverzug

gate controlled delay time

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

t_gd

max.

30 mA

3 µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

DIN IEC 747-6 T_vj= 25 °C,

_GM= 0,6A, di_G/dt = 0,6A/µs

C.Drilling

date of publication: 16.05.02

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approved by: J. Novotny

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DT106N18KOF	INFINEON	Silicon Controlled Rectifier, 180A I(T)RMS, 106000mA I(T), 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 E	获取价格
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