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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> DSS4220V-7
DSS4220V-7 PDF预览

DSS4220V-7

更新时间： 2024-01-20 11:29:05
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 116K
描述
LOW VCE(SAT) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR

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DSS4220V-7 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：12 weeks
风险等级：1.74Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：20 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：120
JESD-30 代码：R-PDSO-F6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：0.6 W
最大功率耗散 (Abs)：0.6 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：260 MHz
VCEsat-Max：0.35 VBase Number Matches：1

DSS4220V-7 数据手册

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DSS4220V  
LOW VCE(SAT) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR  
Please click here to visit our online spice models database.  
Features  
Mechanical Data  
•
•
•
•
•
•
•
•
Epitaxial Planar Die Construction  
•
•
Case: SOT-563  
Complementary PNP Type Available (DSS5220V)  
Low Collector-Emitter Saturation Voltage, VCE(SAT)  
High Current Gain (hFE) at High IC  
Surface Mount Package Suited for Automated Assembly  
Ultra-Small Surface Mount Package  
Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding Compound. UL  
Flammability Classification Rating 94V-0  
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D  
Terminals: Finish ⎯ Matte Tin annealed over Copper leadframe.  
Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Marking Information: See Page 4  
Ordering Information: See Page 4  
Weight: 0.003 grams (approximate)  
•
•
•
•
•
Lead Free/RoHS Compliant (Note 1)  
"Green Device" (Note 2)  
6
5
2
4
3
1, 2, 5, 6  
3
1
4
Bottom View  
Device Schematic  
Pin Out Configuration  
Top View  
Maximum Ratings @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Collector-Base Voltage  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Value  
Unit  
V
20  
20  
5
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
V
Collector Current - Continuous  
Peak Pulse Collector Current  
Base Current (DC)  
2
A
4
A
ICM  
0.3  
0.6  
A
IB  
Peak Base Current  
A
IBM  
Thermal Characteristics  
Characteristic  
Power Dissipation (Note 3) @ TA = 25°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 3) @ TA = 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
Symbol  
PD  
Value  
600  
Unit  
mW  
°C/W  
°C  
208  
Rθ  
JA  
-55 to +150  
TJ, TSTG  
Notes:  
1. No purposefully added lead.  
2. Diode’s Inc.’s “Green” policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
3. Device mounted on FR-4 PCB with minimum recommended pad layout.  
1 of 5  
www.diodes.com  
March 2009  
© Diodes Incorporated  
DSS4220V  
Document number: DS31659 Rev. 2 - 2  
12345

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