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DSS110 PDF预览

DSS110

更新时间： 2024-02-18 08:59:34
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森美特 - SUNMATE /
页数 文件大小 规格书
2页 318K
描述
1A Patch Schottky diode 100V S0D-123 series

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DSS110 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8536.50.90.50风险等级：5.75
执行器颜色：WHITE执行器长度：0.043 inch
执行器材料：THERMOPLASTIC执行器类型：SLIDE
主体宽度：9.906 mm本体颜色：BLACK
主体高度：5.9944 mm主体长度或直径：26.7716 mm
中心触点材料：PHOSPHOR BRONZE中心触点镀层：GOLD OVER NICKEL
最大触点电流（直流）：0.1 A触点（直流）最大额定R负载：0.1A@50VDC
触点功能：OFF-ON触点电阻：0.05 m Ω
最大触点电压（直流）：50 V介质耐电压：500VAC V
电气寿命：10000 Cycle(s)末端触点材料：PHOSPHOR BRONZE
末端触点镀层：GOLD OVER NICKEL绝缘电阻：100000000 Ω
绝缘体材料：POLYBUTYLENE TEREPHTHALATE安装特点：THROUGH HOLE-STRAIGHT
位置数：10最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °CPCB 孔数：20
可焊性：WAVE表面贴装：NO
开关动作：HORIZONTAL开关功能：SPST
端子长度：0.126 inch端子材料：PHOSPHOR BRONZE
端接类型：SOLDERBase Number Matches：1

DSS110 数据手册

 浏览型号DSS110的Datasheet PDF文件第2页 
DSS12 - DSS120  
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODES  
VOLTAGE RANGE: 20 - 200V  
CURRENT: 1.0 A  
Features  
!
The plastic package carries Underwriters Laboratory  
Flammability Classification 94V-0  
!
!
Metal silicon junction,majority carrier conduction  
Low power loss,high efficiency  
High forward surge current capability  
High temperature soldering guaranteed:  
!
!
B
250 C/10 seconds,0.37”5(9.5mm) lead length,  
5 lbs. (2.3kg) tension  
C
E
SOD-123FL  
Mechanical Data  
Dim Min Max  
Typ  
3.58 3.72 3.65  
2.72 2.78 2.75  
1.77 1.83 1.80  
1.02 1.08 1.05  
0.097 1.03 1.00  
0.13 0.17 0.15  
0.53 0.57 0.55  
Case: JEDEC SOD-123FL molded  
plastic body over passivated junction  
!
A
B
C
D
E
H
L
Terminals  
!
!
: Plated axial leads,  
D
H
Method 2026  
solderable per MIL-STD-750,  
L
Polarity  
!
!
: Color band denotes cathode end  
Mounting Position  
: Any  
All Dimensions in mm  
E
Weight  
:0.0007 ounce, 0.02 grams  
!
A
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
TA = 25ꢀC unless otherwise specified  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
Symbol  
DSS17  
Unit  
DSS18 DSS19 DSS110 DSS115 DSS120  
DSS12 DSS13 DSS14 DSS15 DSS16  
Characteristic  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
20  
30  
40  
50  
60  
70  
80  
90  
100  
150  
200  
VRRM  
V
Maximum RMS voltage  
14  
20  
21  
30  
28  
40  
35  
50  
42  
60  
49  
70  
56  
80  
63  
90  
70  
105  
150  
140  
200  
V
V
V
RMS  
100  
Maximum DC blocking voltage  
Maximum average forward rectified current  
VDC  
I(AV)  
A
1.0  
Peak forward surge current  
IFSM  
VF  
25.0  
A
V
8.3ms single half sine-wave superimposed on  
rated load (JEDEC Method)  
Maximum instantaneous forward voltage at 1.0A  
0.55  
110  
0.70  
0.85  
0.95  
Maximum DC reverse current  
at rated DC blocking voltage  
TA=25 C  
0.5  
0.2  
2.0  
mA  
pF  
IR  
5.0  
80  
TA=100 C  
10.0  
Typical junction capacitance (NOTE 1)  
CJ  
Operating junction temperature range  
Storage temperature range  
-65 to +125  
-65 to +150  
TJ  
TSTG  
C
C
-65 to +150  
Note:1.Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.  
1 of 2  
www.sunmate.tw  
12

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
DSS1-100AA IXYS Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC, PLASTIC, SMA, 2

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