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DS2431/R PDF预览

DS2431/R

更新时间： 2024-02-09 13:02:28
品牌 Logo 应用领域
达拉斯 - DALLAS 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
23页 169K
描述
1024-Bit 1-Wire EEPROM

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DS2431/R 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：BGA
包装说明：VFBGA, BGA6,2X3,40/20针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51Factory Lead Time：6 weeks
风险等级：1.46Samacsys Confidence：4
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：349437
Samacsys Pin Count：6Samacsys Part Category：Integrated Circuit
Samacsys Package Category：BGASamacsys Footprint Name：21-0376
Samacsys Released Date：2018-05-14 08:14:26Is Samacsys：N
其他特性：MEMORY ORGANIZED AS FOUR PAGES OF 256 BITS; SEATED HT-CALCULATED数据保留时间-最小值：40
耐久性：50000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：S-PBGA-B6
JESD-609代码：e1长度：1.68 mm
内存密度：1024 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：1湿度敏感等级：1
功能数量：1端子数量：6
字数：1024 words字数代码：1000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：1KX1
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：VFBGA
封装等效代码：BGA6,2X3,40/20封装形状：SQUARE
封装形式：GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH并行/串行：SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3/5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：0.98 mm
串行总线类型：1-WIRE子类别：EEPROMs
最大供电电压 (Vsup)：5.25 V最小供电电压 (Vsup)：2.8 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：BALL端子节距：0.5 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：1.68 mmBase Number Matches：1

DS2431/R 数据手册

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DS2431: 1024-Bit, 1-Wire EEPROM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
I/O Voltage to GND  
I/O Sink Current  
-0.5V, +6V  
20mA  
Operating Temperature Range  
Junction Temperature  
-40°C to +85°C  
+150°C  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature  
-40°C to +85°C  
See IPC/JEDEC J-STD-020A  
Stresses beyond those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only,  
and functional operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated in the operational sections of the specifications is  
not implied. Exposure to the absolute maximum rating conditions for extended periods may affect device reliability.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(VPUP = 2.8V to 5.25V, TA = -40°C to +85°C.)  
PARAMETER  
I/O PIN GENERAL DATA  
1-Wire Pullup Resistance  
Input Capacitance  
Input Load Current  
High-to-Low Switching  
Threshold  
Input Low Voltage  
Low-to-High Switching  
Threshold  
SYMBOL  
CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
(Notes 1, 2)  
(Notes 3, 4)  
I/O pin at VPUP  
(Notes 4, 5, 6)  
(Notes 1, 7)  
RPUP  
CIO  
IL  
0.3  
2.2  
800  
2.2  
kΩ  
pF  
µA  
100  
0.05  
0.5  
VTL  
VIL  
4.1  
0.3  
4.9  
V
V
V
VTH  
(Notes 4, 5, 8)  
1.0  
Switching Hysteresis  
Output Low Voltage  
VHY  
VOL  
(Notes 4, 5, 9)  
At 4mA (Note 10)  
0.22  
1.70  
0.4  
V
V
5
2
Standard speed, RPUP = 2.2kΩ  
Overdrive speed, RPUP = 2.2kΩ  
Overdrive speed, directly prior to reset  
pulse; RPUP = 2.2kΩ  
Recovery Time  
(Notes 1,11)  
tREC  
µs  
5
Standard speed (Note 12)  
Overdrive speed  
Standard speed  
0.5  
5.0  
Rising-Edge Hold-off Time  
Timeslot Duration (Note 1)  
tREH  
µs  
µs  
Not applicable (0)  
65  
9
tSLOT  
Overdrive speed (Note 13)  
I/O PIN, 1-WIRE RESET, PRESENCE DETECT CYCLE  
Standard speed, VPUP > 4.5V  
480  
504  
48  
53  
15  
15  
2
1.1  
1.1  
640  
640  
80  
80  
60  
63  
7
3.75  
7
1.1  
240  
24  
Standard speed (Note 12)  
Overdrive speed, VPUP > 4.5V  
Overdrive speed (Note 13)  
Standard speed, VPUP > 4.5V  
Standard speed (Note 13)  
Overdrive speed (Note 13)  
Standard speed, VPUP > 4.5V  
Standard speed  
Overdrive speed  
Standard speed  
Overdrive speed, VPUP > 4.5V  
Overdrive speed (Note 13)  
Standard speed, VPUP > 4.5V  
Standard speed  
Reset Low Time (Note 1)  
tRSTL  
µs  
Presence Detect High  
Time  
tPDH  
tFPD  
tPDL  
tMSP  
µs  
µs  
µs  
µs  
Presence Detect Fall Time  
(Notes 4, 14)  
60  
8
8
64  
70  
8.1  
Presence Detect Low  
Time  
26  
75  
75  
10  
Presence Detect Sample  
Time (Note 1)  
Overdrive speed  
2 of 23  
1234567...23

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