DS1216

更新时间： 2024-02-16 09:19:01

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美信 - MAXIM		/
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15页	648K
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SmartWatch RAM (DS1216B/C/D/H); SmartWatch ROM (DS1216E/F)

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DS1216 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.41
信息访问方法：	PARALLEL	中断能力：	N
JESD-30 代码：	R-PDIP-T28	JESD-609代码：	e0
端子数量：	28	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP28,.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Timer or RTC	标称供电电压：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	最短时间：	1/100 SECOND
易失性：	NO	Base Number Matches：	1

DS1216 数据手册

DS1216 SmartWatch RAM/SmartWatch ROM

CAPACITANCE

(T_A= +25°C)

PARAMETER

SYMBOL

C_IN

MIN

TYP

MAX

UNITS

NOTES

Input Capacitance

Output Capacitance

Expected Data Retention

C_OUT

t_DR

years

AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

(V_CC= 4.5V to 5.5V, T_A= 0°C to +70°C.)

PARAMETER

Read Cycle Time

SYMBOL

t_RC

MIN

TYP

MAX

UNITS

NOTES

CE Access Time

t_CO

OE Access Time

t_OE

CE to Output Low-Z

OE to Output Low-Z

CE to Output High-Z

OE to Output High-Z

Address Setup Time (ROM)

Address Hold Time (ROM)

Read Recovery

t_COE

t_OEE

t_OD

t_ODO

t_AS

t_AH

t_RR

Write Cycle Time

Write Pulse Width

Write Recovery

t_WC

t_WP

t_WR

t_DS

Data Setup Time

Data Hold Time

t_DH

CE Pulse Width

t_CW

t_RST

t_PD

RST Pulse Width

CE Propagation Delay

CE High to Power-Fail

t_PF

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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DS1216D	DALLAS	SmartWatch RAM DS1216B/C/D/H SmartWatch ROM DS1216E/F	获取价格
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