DN2625K6-G

更新时间： 2024-01-02 18:07:12

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超科 - SUPERTEX		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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描述
N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FETs

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DN2625K6-G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFN	包装说明：	CHIP CARRIER, S-PQCC-N14
针数：	14	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.7
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW THRESHOLD
外壳连接：	DRAIN	最小漏源击穿电压：	250 V
最大漏极电流 (ID)：	1.1 A	最大漏源导通电阻：	3.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	70 pF
JESD-30 代码：	S-PQCC-N14	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	3	元件数量：	3
端子数量：	14	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	SQUARE
封装形式：	CHIP CARRIER	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	3.3 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	30 ns	最大开启时间（吨）：	30 ns
Base Number Matches：	1

DN2625K6-G 数据手册

DN2625

Typical Performance Curves (cont.)

Saturation Characteristics

5.5

5.0

4.5

4.0

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

Vgs = -2V

Vgs = -1.5V

Vgs = -1V

Vgs = -0.5V

Vgs = 0V

Vgs = 0.5V

Vgs = 1V

Vgs = 1.5V

Vgs = 2V

_DS(V)

Transfer Characteristics

Temp = -55 C

Temp = 25 C

Temp = 125 C

-3.0

-2.0

-1.0

0.0

1.0

_GS(V)

2.0

3.0

4.0

BV_DSXVariation With Temperature

1.20

1.15

1.10

1.05

1.00

0.95

0.90

0.85

0.80

V_GS= -2.5V

I_D= 1mA

-50

-25

_J( C)

100

125

150

1 2 345 6 7

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