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DMS3019SSD

更新时间: 2022-10-27 10:46:02
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10页 197K
描述
ASYMMETRIC DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DMS3019SSD 数据手册

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DMS3019SSD  
10,000  
1,000  
10,000  
1,000  
f = 1MHz  
T
= 125°C  
= 85°C  
A
C
iss  
T
A
100  
C
oss  
C
rss  
100  
10  
10  
1
T
= 25°C  
A
0
10  
20  
30  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
VDS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)  
VDS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)  
Fig. 10 Typical Leakage Current  
vs. Drain-Source Voltage  
Fig. 9 Typical Total Capacitance  
10  
8
V
I
= 15V  
DS  
= 12.7A  
D
6
4
2
0
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45  
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)  
Fig. 11 Gate-Charge Characteristics  
5 of 10  
www.diodes.com  
October 2010  
© Diodes Incorporated  
DMS3019SSD  
Document number: DS35053 Rev. 2 - 2  

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