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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> DMG5802LFX-7
DMG5802LFX-7 PDF预览

DMG5802LFX-7

更新时间： 2024-09-24 12:28:23
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 162K
描述
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DMG5802LFX-7 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DFN
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：16 weeks风险等级：5.69
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
外壳连接：DRAIN配置：COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：24 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：6.5 A
最大漏极电流 (ID)：5.6 A最大漏源导通电阻：0.015 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F6
JESD-609代码：e4湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.98 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

DMG5802LFX-7 数据手册

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DMG5802LFX  
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET  
Product Summary  
Features  
•
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•
•
•
•
•
•
Low On-Resistance  
Low Input Capacitance  
Fast Switching Speed  
Low Input/Output Leakage  
ID  
TA = 25°C  
6.5A  
V(BR)DSS  
RDS(ON)  
15mΩ @ VGS = 4.5V  
20mΩ @ VGS = 2.5V  
24V  
5.6A  
ESD Protected up to 3kV  
Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  
Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability  
Description  
This new generation MOSFET has been designed to minimize the on-  
state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching  
performance, making it ideal for high efficiency power management  
applications.  
Mechanical Data  
•
•
Case: W-DFN5020-6  
Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding Compound. UL  
Flammability Classification Rating 94V-0  
Applications  
•
•
•
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020  
Terminal Connections: See Diagram Below  
Weight: 0.03 grams (approximate)  
•
•
DC-DC Converters  
Power management functions  
G1 S1 S1  
D1  
D2  
W-DFN5020-6  
D1/D2  
G2  
G1  
S1  
Equivalent Circuit  
S2  
G2 S2 S2  
Top View  
ESD PROTECTED TO 3kV  
Bottom View  
Top View  
Pin-Out  
Ordering Information (Note 4)  
Part Number  
DMG5802LFX-7  
Case  
W-DFN5020-6  
Packaging  
3000 / Tape & Reel  
Notes:  
1. No purposely added lead. Fully EU Directive 2002/95/EC (RoHS) & 2011/65/EU (RoHS 2) compliant.  
2. See http://www.diodes.com for more information about Diodes Incorporated’s definitions of Halogen- and Antimony-free, "Green" and Lead-free.  
3. Halogen- and Antimony-free "Green” products are defined as those which contain <900ppm bromine, <900ppm chlorine (<1500ppm total Br + Cl) and  
<1000ppm antimony compounds.  
4. For packaging details, go to our website at http://www.diodes.com.  
Marking Information  
ME = Product Type Marking Code  
YM = Date Code Marking  
Y = Year (ex: X = 2010)  
M = Month (ex: 9 = September)  
YM  
Date Code Key  
Year  
2010  
2011  
2012  
2013  
2014  
2015  
2016  
2017  
2018  
Code  
X
Y
Z
A
B
C
D
E
F
Month  
Code  
Jan  
1
Feb  
2
Mar  
3
Apr  
4
May  
5
Jun  
6
Jul  
7
Aug  
8
Sep  
9
Oct  
O
Nov  
N
Dec  
D
1 of 6  
www.diodes.com  
December 2012  
© Diodes Incorporated  
DMG5802LFX  
Document number: DS35009 Rev. 4 - 2  
123456

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