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DM54LS10J/883

更新时间： 2024-11-19 15:30:59

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		栅输入元件逻辑集成电路触发器
页数	文件大小	规格书
6页	18K
描述
LS SERIES, TRIPLE 3-INPUT NAND GATE, CDIP14, DIP-14

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技术参数
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DM54LS10J/883 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	DIP, DIP14,.3	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.53
系列：	LS	JESD-30 代码：	R-GDIP-T14
JESD-609代码：	e0	长度：	19.43 mm
负载电容（CL）：	15 pF	逻辑集成电路类型：	NAND GATE
最大I（ol）：	0.004 A	功能数量：	3
输入次数：	3	端子数量：	14
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	CERAMIC, GLASS-SEALED	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP14,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	最大电源电流（ICC）：	3.3 mA
Prop。Delay @ Nom-Sup：	15 ns	传播延迟（tpd）：	24 ns
认证状态：	Not Qualified	施密特触发器：	NO
筛选级别：	MIL-STD-883	座面最大高度：	5.08 mm
子类别：	Gates	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	TTL
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

DM54LS10J/883 数据手册

MICROCIRCUIT DATA SHEET

Original Creation Date: 04/22/98

Last Update Date: 05/14/98

MNDM54LS10-X REV 1A0

Last Major Revision Date: 04/22/98

TRIPLE 3-INPUT NAND GATE

General Description

This device contains three independent gates, each of which performs the logic NAND

function.

Industry Part Number

NS Part Numbers

54LS10

DM54LS10E/883

DM54LS10J/883

DM54LS10W/883

Prime Die

L010

Processing

Subgrp Description

Temp (^oC)

MIL-STD-883, Method 5004

Static tests at

+25

Static tests at

+125

-55

Static tests at

Dynamic tests at

Functional tests at

Switching tests at

+25

Quality Conformance Inspection

+125

-55

MIL-STD-883, Method 5005

+25

+125

-55

+25

+125

-55

12 3 4 5 6

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