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DLN10C

更新时间: 2024-09-26 22:29:39
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三洋 - SANYO 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 62K
描述
Low-loss Rectifier

DLN10C 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:O-XALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.56
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.98 VJESD-30 代码:O-XALF-W2
最大非重复峰值正向电流:25 A元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最大输出电流:1 A封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:200 V
最大反向恢复时间:0.035 µs子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

DLN10C 数据手册

 浏览型号DLN10C的Datasheet PDF文件第2页 

与DLN10C相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DLN10C-AT1 ONSEMI

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1A, 200V, SILICON, SIGNAL DIODE
DLN10C-BT ONSEMI

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1A, 200V, SILICON, SIGNAL DIODE
DLN10E SANYO

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Low-loss Rectifier
DLN19501 SIPAT

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195MHz SAW Delay Line 25MHz Bandwidth
DLN4446 TOSHIBA

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RECTIFIER DIODE,100V V(RRM),AXIAL
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DL-NP DDK

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Coaxial Non-Reflection Terminator
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Linear Choke, compact
DLNP-6148-D6D1 SCHURTER

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Linear Choke, compact
DLN-R-1 COOPER

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Electric Fuse, Time Delay Blow, 1A, 250VAC, 125VDC, 200000A (IR), Inline/holder