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DLN10C-AT1

更新时间: 2024-09-27 20:49:55
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安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
2页 58K
描述
1A, 200V, SILICON, SIGNAL DIODE

DLN10C-AT1 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.55
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:O-PALF-W2JESD-609代码:e6
元件数量:1端子数量:2
最大输出电流:1 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:200 V
最大反向恢复时间:0.035 µs表面贴装:NO
端子面层:Tin/Bismuth (Sn/Bi)端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

DLN10C-AT1 数据手册

 浏览型号DLN10C-AT1的Datasheet PDF文件第2页 

DLN10C-AT1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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1A, 200V, SILICON, SIGNAL DIODE

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DLN-R-10 COOPER

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Electric Fuse, Time Delay Blow, 10A, 250VAC, 125VDC, 200000A (IR), Inline/holder